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净慧婍兴铁杆木虫 (小有名气)
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因为实验需要，想制备一层AlN薄膜，要求 002 取向，用作压电。基片是100的抛光Si，还有110的抛光Si，都是N型掺杂。 采用磁控溅射制备：Al靶+N2和Ar气体。试过直流溅射和射频溅射，参数都调节了。就是做不成来 002 取向的AlN。 按理说AlN应该很好做。设备是沈科仪的，真空度差不多是 7.0*10-4。 求各位大神指教啊。小弟着急。 |
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 薄膜制备与特性 |
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fuyadong01
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10楼2015-09-17 15:27:16
wanghuaxing 
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2楼2015-09-14 21:19:08
净慧婍兴
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wanghuaxing
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4楼2015-09-15 22:02:34
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