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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 功能材料 » 功能薄膜 » 求助关于AlN薄膜
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净慧婍兴

铁杆木虫 (小有名气)

[求助] 求助关于AlN薄膜 已有4人参与

因为实验需要，想制备一层AlN薄膜，要求 002 取向，用作压电。基片是100的抛光Si，还有110的抛光Si，都是N型掺杂。
采用磁控溅射制备：Al靶+N2和Ar气体。试过直流溅射和射频溅射，参数都调节了。就是做不成来 002 取向的AlN。
按理说AlN应该很好做。设备是沈科仪的，真空度差不多是 7.0*10-4。

求各位大神指教啊。小弟着急。
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1楼 2015-09-14 15:10:42
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zhuzhen

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
净慧婍兴: 金币+20, ★★★很有帮助 2015-09-23 10:19:39
试试Si（111），同AlN（002）的原子密堆积一致吧
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9楼2015-09-17 10:34:07
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wanghuaxing

禁虫 (小有名气)
本帖内容被屏蔽
2楼2015-09-14 21:19:08
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净慧婍兴

铁杆木虫 (小有名气)
引用回帖:
2楼: Originally posted by wanghuaxing at 2015-09-14 21:19:08
这个得慢慢调试做实验才能得到，您是哪个高校的

我是北科大的。谢谢您啦。做了很久，还是没有结果。很是着急。哎
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有今生 有来生 有因果 有轮回
3楼2015-09-15 07:56:36
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wanghuaxing

禁虫 (小有名气)
本帖内容被屏蔽
4楼2015-09-15 22:02:34
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