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lifucheng专家顾问 (知名作家)
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[求助]
求助有关半导体能带间隙的问题 已有1人参与
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各位固体物理的高手们，小的本不学固体物理，但是现在碰到了这方面的问题实在搞不清楚，特来求助。 一篇文献（全文见附件）上通过 (αhν)∧2~hν作图得到Co3O4具有两个 optical band gap energy (Eg):3.95eV，2.13 eV, 还计算optical band gap energy difference: △Eg=Eg1-Eg2=3.95-2.13 =1.82 eV 总的来说文章里面提了两个概念 Eg：optical band gap energy △Eg：optical band gap energy difference 请问：1： Eg和△Eg分别指什么？ 2： 常说的的半导体能带带间隙（比如：TiO2的能带间隙是3.2eV）是Eg还是△Eg？ 附件是这个问题的原文表述，还望高手不吝赐教，小的感激不尽！  能带间隙.jpg |
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本内容由用户自主发布，如果其内容涉及到知识产权问题，其责任在于用户本人，如对版权有异议，请联系邮箱：xiaomuchong@tal.com - 附件 1 : Co3O4-能带-5.pdf
2015-02-01 21:00:44, 683.41 K
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