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lifucheng专家顾问 (知名作家)
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[求助]
求助有关半导体能带间隙的问题 已有1人参与
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各位固体物理的高手们，小的本不学固体物理，但是现在碰到了这方面的问题实在搞不清楚，特来求助。 一篇文献（全文见附件）上通过 (αhν)∧2~hν作图得到Co3O4具有两个 optical band gap energy (Eg):3.95eV，2.13 eV, 还计算optical band gap energy difference: △Eg=Eg1-Eg2=3.95-2.13 =1.82 eV 总的来说文章里面提了两个概念 Eg：optical band gap energy △Eg：optical band gap energy difference 请问：1： Eg和△Eg分别指什么？ 2： 常说的的半导体能带带间隙（比如：TiO2的能带间隙是3.2eV）是Eg还是△Eg？ 附件是这个问题的原文表述，还望高手不吝赐教，小的感激不尽！  能带间隙.jpg |
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2015-02-01 21:00:44, 683.41 K
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2楼2015-02-02 09:28:06
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如果去测UPS，好像测完软件就可以给出功函数，就是图谱里的一个值，不需要公式计算。我现在不在学校，没法连学校的数据库下文献。如果你想具体了解，随便在知网上找找就有。 以下内容来自中文维基百科： 紫外光电子能谱学可以用于测定固体的功函数。Park等人的工作是一个很好的例子。[6] 从入射光子的能量中扣除所得紫外光电子能谱谱图的全谱宽度，所得的结果就是固体的功函数。 6^ Y. Park et al., Appl. Phys. Lett 68(19), 2699-2701 (1996) Work function of indium tin oxide transparent conductor measured by photoelectron spectroscopy |
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lifucheng16楼2015-02-06 19:24:14
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