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SiO2作为模板的刻蚀问题
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虫号: 1499052
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性别: GG
专业: 无机纳米化学
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]
SiO2作为模板的刻蚀问题
利用SiO2球为模板合成多孔碳,HF酸刻蚀后的碳测XRD出现杂峰,而不是纯碳的峰,测ICP等也硅的含量在3%左右,请问这该怎么解释?
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1楼
2014-09-12 21:03:27
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