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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 合成表征 » HF酸刻蚀SiO2的条件
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86272676

铜虫 (初入文坛)

[交流] HF酸刻蚀SiO2的条件已有4人参与

二氧化硅包碳，我用5%HF酸、室温下搅拌24小时来刻蚀二氧化硅。能够刻蚀完全么？做XRD也看不出来还有没有硅。求各大神指教~
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1楼2014-05-27 08:31:47
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初见-XP

金虫 (正式写手)
TEM看
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2楼2014-05-27 08:43:18
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86272676

铜虫 (初入文坛)
引用回帖:
2楼: Originally posted by 初见-XP at 2014-05-27 08:43:18
TEM看

是对比刻蚀前后么？
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3楼2014-05-27 09:29:21
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初见-XP

金虫 (正式写手)
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引用回帖:
3楼: Originally posted by 86272676 at 2014-05-27 09:29:21
是对比刻蚀前后么？

嗯，就算不对比，有空的话TEM很容易看出来的
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4楼2014-05-27 13:44:29
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台海相连

金虫 (小有名气)
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模板法使用的的二氧化硅是非晶的，XRD是看不到的，建议做个能谱就知道了
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5楼2014-05-28 08:04:55
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86272676

铜虫 (初入文坛)
引用回帖:
5楼: Originally posted by 台海相连 at 2014-05-28 08:04:55
模板法使用的的二氧化硅是非晶的，XRD是看不到的，建议做个能谱就知道了

好的，谢谢~
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6楼2014-05-29 08:55:46
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troychen01

新虫 (小有名气)
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我想问一下应该加热到多少度呢，如果是浸泡在10%的HF里24h,温度太高那么HF应该是容易挥发的吧。
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7楼2015-05-10 20:43:12
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洋洋112

新虫 (初入文坛)
★
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群主你好，想问下你包碳是用葡萄糖么
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8楼2016-10-24 09:40:51
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