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掺杂后DOS图解释,急求
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shiyu_xueshu
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掺杂后DOS图解释,急求
已有2人参与
各位大侠:
之前我也曾发表过一个类似的贴子,结果没有人回复,也不知道是肿么回事?我是用VASP对Fe2O3中的间隙H掺杂进行研究,掺杂后利用origin画出来的DOS图如下图所示,不知道怎么解释费米面附近的变化啊!急求比较懂的高人帮忙解答一下,我自己也在尽力的寻找解决办法。多谢!
超胞对比图1.jpg
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1楼
2014-07-21 15:01:51
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valenhou001
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7楼
:
Originally posted by
shiyu_xueshu
at 2014-07-24 10:05:16
谢谢侯老师的点拨,我整理一下,一一回答您的问题。...
这个不是回答我的问题,我只是提醒一点要注意的。
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8楼
2014-07-24 09:06:40
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shiyu_xueshu
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2楼
2014-07-21 15:02:19
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孙远慧
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【答案】应助回帖
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shiyu_xueshu: 金币+10,
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有帮助
2014-07-24 09:04:36
你不说清楚谁回答你啊,说清楚点。。
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dsfgdsgsfd
3楼
2014-07-22 20:39:52
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shiyu_xueshu
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3楼
:
Originally posted by
孙远慧
at 2014-07-22 20:39:52
你不说清楚谁回答你啊,说清楚点。。
就是老板说让算一下间隙氢对Fe2O3电导方面的影响,我下面a图是空白样超胞做的DOS图,加了自旋了,上面b图是在空白样超胞的四面体间隙加入了一个氢原子,再计算的DOS,然后得到的前后对比图,然后我不知道怎么解释,带隙是变小了些,但是不知道怎么解释。我是学材料的,物理方面差些,不知道我这样描述说清楚了吗?谢谢!
[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
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4楼
2014-07-22 20:43:16
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