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光刻胶厚度如何影响特征长度，分别从电子光刻和光学光刻说明 已有1人参与
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作业求助 ：光刻胶厚度如何影响特征长度，分别从电子光刻和光学光刻说明 |
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yswyx 
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如果只考虑理论上光刻胶厚度增加，对不同光刻类型造成的影响，可以做如下解释： 1. 电子束光刻：由于电子束在束斑位置进入光刻胶后会由于电子互相排斥以及和原子碰撞的原因发生散射，电子束斑随着光刻胶深度的增加而增加。在这一情况下，厚光刻胶的分辨率会随着厚度的增加而下降。要点是电子束的散射。 2. 投影式光刻：投影式光刻都存在DOF，随着光刻胶这一物面远离焦面，成像越来越模糊，分辨率迅速下降。当光刻胶的厚度超过DOF以后，会有部分光刻胶处于离焦的状态，会使得成像不清晰。随着光刻胶厚度的增加，分辨率会下降。要点是物面的离焦状态。 3. 接触式光刻：和投影光刻不同，接触式光刻没有所谓的DOF，但是光刻的分辨率还是和光刻胶厚度相关的，随着光刻胶厚度的增加，mask距离光刻胶厚度中间位置的距离越来越远，衍射效应带来的成像模糊越来越严重，分辨率会下降。这个是有公式的，可以在光刻的书籍中找到。要点是厚度增加造成衍射严重。 这个题目设计的有它的其他问题 在IC工业领域中，最常用的都是薄光刻胶，光刻胶厚度对分辨率的影响直接表现为高宽比的极限，一般的光刻胶不会超过5：1，工艺中常常不会超过3：1。这个极限是由于光刻胶本身的物理机械性能决定的，和电子束光刻，光学光刻没有关系。在实际应用中，每个品种的光刻胶，都有对应的厚度范围，在这个范围内，厚度对特征尺寸，也就是分辨率没有任何影响，这就是光刻胶适用的工艺窗口。 你们老师估计是想讨论，当光刻胶厚度超出工艺窗口，对分辨率的影响，或者说他只是想让你们了解纯理论的结论。实际上在IC领域，对分辨率起决定因素的往往是光刻胶的物理机械性能，而不是厚度。因为光刻胶的分辨率极限是有相当大的冗余的，工艺窗口内的分辨率要小于光刻胶实际能达到的分辨率。光刻胶厚度增加，绝大部分情况下，仍然能够达到工艺窗口内的额定分辨率，只是因为线条又窄又高，光刻胶本身承受不住这样的结构，发生倒塌。 在IC的领域，基本上不用厚胶光刻，原因如上解释，所以这个题目在IC领域的前提不成立。这个题目对厚胶光刻是成立的，而厚胶光刻的主要应用领域是先进封装和mems。由于光刻应用的多样性，这样的题目出出来，容易让学生在以后的实践中发生概念的混淆，不容易理解实际中各个工艺方法的限制和适用性。应该再给学生讲解的更深入，最好能够具体的分析各种光刻的方法以及对应的应用。 |
2楼2014-04-18 17:26:02
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