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nanost木虫 (知名作家)
Dr.
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[求助]
vasp进行结构优化，出现提示怎么解决 已有1人参与
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以下是计算过程中给我的提示，请问如何解决？谢谢 | | ADVICE TO THIS USER RUNNING 'VASP/VAMP' (HEAR YOUR MASTER'S VOICE ...): | | | | Your highest band is occupied at some k-points! Unless you are | | performing a calculation for an insulator or semiconductor, without | | unoccupied bands, you have included TOO FEW BANDS!! Please increase | | the parameter NBANDS in file 'INCAR' to ensure that the highest band | | is unoccupied at all k-points. It is always recommended to | | include a few unoccupied bands to accelerate the convergence of | | molecular dynamics runs (even for insulators or semiconductors). | | Because the presence of unoccupied bands improves wavefunction | | prediction, and helps to suppress 'band-crossings.' 我的incar设置如下 SYSTEM=AgCoO2 ISTART=0 ICHARG=2 EDIFF=1E-04 NSW=1000 PREC=M ISIF=3 IBRION=2 |
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看样子是说NBANDS少了，在INCAR里面添加上NBANDS这个参数，具体设置可以参见vasp手册，我记得好像是（离子数与电子书之和）除2，对于过渡金属好像是离子数X2+电子数/2，这个我记不太清楚了，你查查手册，但是可以肯定一点，加上去之后，计算速度奇慢无比……（我机器本来也不行） 另外，可否PREC=A? EDIFFG是多少？怎么没有设置，这个INCAR应该是弛豫的吧 |
2楼2014-02-02 18:58:59
nanost
木虫 (知名作家)
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