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关于SEM/TEM/AES利用电子束轰击样品,造成样品电子束损伤的问题
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w778023076
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[交流]
关于SEM/TEM/AES利用电子束轰击样品,造成样品电子束损伤的问题
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利用电子束技术,可以得到样品内各种信息,从而催生了SEM/TEM/AES等的开发和普及。但是当电子束轰击样品时,会造成电子束损伤,如样品局部结构改变甚至部分样品熔融,想请教大家一个问题,初次电子束束斑大小(30nm/100nm/1μm)、束流(0.25nA/10nA/1μA)和电子束能量(3keV/10keV/50keV/100keV)分别造成多大的电子损伤,特别是在样品内会产生多高的温度?不知道大家有没有这方面的资料和文献,谢谢啦
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2013-10-10 08:39:25
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gxytju2008
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806860356
at 2015-04-24 22:00:07
大家有没有见过,样品在扫描时样品在变化,比如出现微纳裂纹、微纳结构的坍塌,微纳裂缝增大等等,这些现象怎么解释,是电子束温度效应吗,还是其他原因????
很常见,解释要看情况,你样品导电性很好,就要考虑是不是有电子束效应,导电不好,就有可能是温度,或者就是含水啥的气化一类的,综合分析
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9楼
2015-04-24 23:01:07
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tana3599102
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这个好像取决于所用的材料吧!
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2013-10-10 10:43:46
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2楼
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tana3599102
at 2013-10-10 10:43:46
这个好像取决于所用的材料吧!
跟材料的热导率也有关系,Egerton R F, Li P, Malac M. Radiation damage in the TEM and SEM[J]. Micron, 2004, 35(6): 399-409.这篇文章中具体提到了引起的温度变化,我觉得他说的是平均温度,我想知道电子束达到材料表面瞬时会不会引起高温,导致退火偏析等,具体温度会有多高。
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3楼
2013-10-10 10:52:38
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跟材料,导电性都有关系,很难说的,我做过导电性比较好熔点在200度的材料,不会化
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4楼
2013-10-10 14:44:58
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