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w778023076

新虫 (初入文坛)

[交流] 关于SEM/TEM/AES利用电子束轰击样品,造成样品电子束损伤的问题 已有4人参与

利用电子束技术,可以得到样品内各种信息,从而催生了SEM/TEM/AES等的开发和普及。但是当电子束轰击样品时,会造成电子束损伤,如样品局部结构改变甚至部分样品熔融,想请教大家一个问题,初次电子束束斑大小(30nm/100nm/1μm)、束流(0.25nA/10nA/1μA)和电子束能量(3keV/10keV/50keV/100keV)分别造成多大的电子损伤,特别是在样品内会产生多高的温度?不知道大家有没有这方面的资料和文献,谢谢啦
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好好学习
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gxytju2008

专家顾问 (文坛精英)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
跟材料,导电性都有关系,很难说的,我做过导电性比较好熔点在200度的材料,不会化
4楼2013-10-10 14:44:58
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tana3599102

金虫 (正式写手)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
这个好像取决于所用的材料吧!
2楼2013-10-10 10:43:46
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w778023076

新虫 (初入文坛)

引用回帖:
2楼: Originally posted by tana3599102 at 2013-10-10 10:43:46
这个好像取决于所用的材料吧!

跟材料的热导率也有关系,Egerton R F, Li P, Malac M. Radiation damage in the TEM and SEM[J]. Micron, 2004, 35(6): 399-409.这篇文章中具体提到了引起的温度变化,我觉得他说的是平均温度,我想知道电子束达到材料表面瞬时会不会引起高温,导致退火偏析等,具体温度会有多高。
好好学习
3楼2013-10-10 10:52:38
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w778023076

新虫 (初入文坛)

引用回帖:
4楼: Originally posted by gxytju2008 at 2013-10-10 14:44:58
跟材料,导电性都有关系,很难说的,我做过导电性比较好熔点在200度的材料,不会化

在文献中大多提到的电子束效应引起的温度变化主要与样品热导率、电子剂量有关,引起的温度变化也是非常小的,一般只有几个k,我觉得这是平均温度,但是电子束作用点下的瞬时温度是多大,会不会引起沸点比较小的样品蒸发,如分析沸点小的包裹体,打下去会不会就挥发消失了,如果会,电子束剂量需要达到多大?
好好学习
5楼2013-10-10 16:52:31
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