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关于SEM/TEM/AES利用电子束轰击样品,造成样品电子束损伤的问题
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w778023076
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[交流]
关于SEM/TEM/AES利用电子束轰击样品,造成样品电子束损伤的问题
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利用电子束技术,可以得到样品内各种信息,从而催生了SEM/TEM/AES等的开发和普及。但是当电子束轰击样品时,会造成电子束损伤,如样品局部结构改变甚至部分样品熔融,想请教大家一个问题,初次电子束束斑大小(30nm/100nm/1μm)、束流(0.25nA/10nA/1μA)和电子束能量(3keV/10keV/50keV/100keV)分别造成多大的电子损伤,特别是在样品内会产生多高的温度?不知道大家有没有这方面的资料和文献,谢谢啦
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这个好像取决于所用的材料吧!
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跟材料,导电性都有关系,很难说的,我做过导电性比较好熔点在200度的材料,不会化
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at 2013-10-10 16:52:31
在文献中大多提到的电子束效应引起的温度变化主要与样品热导率、电子剂量有关,引起的温度变化也是非常小的,一般只有几个k,我觉得这是平均温度,但是电子束作用点下的瞬时温度是多大,会不会引起沸点比较小的样品 ...
我目前遇到的样品都不会,感觉温度升高不会很多,平常的5kv,分析电流,有一些不稳定的样品倒是会变,像氯化银溴化银一类的,不过不知道是化学反应还是因为温度
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2013-10-10 17:05:11
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tana3599102
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这个好像取决于所用的材料吧!
跟材料的热导率也有关系,Egerton R F, Li P, Malac M. Radiation damage in the TEM and SEM[J]. Micron, 2004, 35(6): 399-409.这篇文章中具体提到了引起的温度变化,我觉得他说的是平均温度,我想知道电子束达到材料表面瞬时会不会引起高温,导致退火偏析等,具体温度会有多高。
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2013-10-10 10:52:38
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gxytju2008
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跟材料,导电性都有关系,很难说的,我做过导电性比较好熔点在200度的材料,不会化
在文献中大多提到的电子束效应引起的温度变化主要与样品热导率、电子剂量有关,引起的温度变化也是非常小的,一般只有几个k,我觉得这是平均温度,但是电子束作用点下的瞬时温度是多大,会不会引起沸点比较小的样品蒸发,如分析沸点小的包裹体,打下去会不会就挥发消失了,如果会,电子束剂量需要达到多大?
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没有关注过,不过楼主换个思路从电子束蒸发的相关文献入手可能获得更多的信息!
[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
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2013-10-13 11:09:38
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大家有没有见过,样品在扫描时样品在变化,比如出现微纳裂纹、微纳结构的坍塌,微纳裂缝增大等等,这些现象怎么解释,是电子束温度效应吗,还是其他原因????
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8楼
2015-04-24 22:00:07
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at 2015-04-24 22:00:07
大家有没有见过,样品在扫描时样品在变化,比如出现微纳裂纹、微纳结构的坍塌,微纳裂缝增大等等,这些现象怎么解释,是电子束温度效应吗,还是其他原因????
很常见,解释要看情况,你样品导电性很好,就要考虑是不是有电子束效应,导电不好,就有可能是温度,或者就是含水啥的气化一类的,综合分析
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9楼
2015-04-24 23:01:07
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gxytju2008
at 2015-04-24 23:01:07
很常见,解释要看情况,你样品导电性很好,就要考虑是不是有电子束效应,导电不好,就有可能是温度,或者就是含水啥的气化一类的,综合分析...
塑料样品,聚乙烯(熔点100多),有镀金,这种情况是不是高温效应!
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10楼
2015-04-25 13:50:07
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