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[交流]
半导体器件仿真工艺参数 求教 交流
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大家好: 我们在做一些器件仿真时,发现层次的掺杂浓度和杂质的注入深度,对仿真结果影响很大,很难较准确地预计我们的器件性能,我们知道foundry对工艺参数是严格保密的,不方便透露,有做过工艺的或者有这方面经验的牛人们来交流,和大家分享下下这方面的经验,比如N+大概能打到多深,PWELL的掺杂水平在什么范围等等。。 不同工艺的技术和指标不一样,我的附件中列了三种不同的工艺下地一部分层次,牛人能解决鄙人的该问题,我另外种种有赏 希望大家踊跃讨论。。。。。。 |
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本内容由用户自主发布,如果其内容涉及到知识产权问题,其责任在于用户本人,如对版权有异议,请联系邮箱:xiaomuchong@tal.com - 附件 1 : 工艺参数问题.docx
2013-04-11 20:28:03, 16.73 K
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还剩1个指标,想攻读博士学位的尽快报名吧~!
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2楼2013-04-12 12:07:15
3楼2013-04-12 18:38:05
4楼2013-04-12 20:13:55
7楼2013-04-12 23:55:01
8楼2013-04-13 08:37:29
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小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
evanbossccp: 金币+5, 多谢指教 2013-05-08 00:03:10
evanbossccp: 金币+3 2013-07-17 13:48:26
小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
evanbossccp: 金币+5, 多谢指教 2013-05-08 00:03:10
evanbossccp: 金币+3 2013-07-17 13:48:26
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只有在Foundry 做PIE的人才能知道具体的工艺参数。但是现在的CMOS工艺,都是通过多次Ion Implantion完成的,单一工序的条件根本无法用来模拟器件的特性。 现在的Fab的SPICE Model,大部分都是通过实际器件进行参数提取的结果,在深亚微米范围内,半导体器件的模型都不准确。短沟道效应,多重栅效应等,都没有很准确的理论支持。对于深亚微米影响极为严重的沟道漏电流寄生特性,更无法进行准确仿真的。 工艺实践走在器件理论的前面了,需要大家在Fab投入,才能获得这是的器件模型。 |
9楼2013-05-06 23:56:07
10楼2013-05-08 00:03:38
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亦岳98635楼
2013-04-12 20:35
jwucn6楼
2013-04-12 21:15











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