应《网络安全法》要求，自2017年10月1日起，未进行实名认证将不得使用互联网跟帖服务。为保障您的帐号能够正常使用，请尽快对帐号进行手机号验证，感谢您的理解与支持！

24小时热门版块排行榜    

小木虫论坛-学术科研互动平台 » 专业学科区 » 信息科学 » 电子科学 » 半导体器件仿真工艺参数 求教 交流
101/1返回列表
查看: 1226  |  回复: 9
只看楼主 @他人 存档 新回复提醒 (忽略) 收藏    在APP中查看

evanbossccp

木虫 (正式写手)

[交流] 半导体器件仿真工艺参数 求教 交流

大家好：

我们在做一些器件仿真时，发现层次的掺杂浓度和杂质的注入深度，对仿真结果影响很大，很难较准确地预计我们的器件性能，我们知道foundry对工艺参数是严格保密的，不方便透露，有做过工艺的或者有这方面经验的牛人们来交流，和大家分享下下这方面的经验，比如N+大概能打到多深，PWELL的掺杂水平在什么范围等等。。

不同工艺的技术和指标不一样，我的附件中列了三种不同的工艺下地一部分层次，牛人能解决鄙人的该问题，我另外种种有赏

希望大家踊跃讨论。。。。。。
回复此楼

» 本帖附件资源列表

  • 欢迎监督和反馈：小木虫仅提供交流平台，不对该内容负责。
    本内容由用户自主发布，如果其内容涉及到知识产权问题，其责任在于用户本人，如对版权有异议，请联系邮箱：xiaomuchong@tal.com
  • 附件 1 : 工艺参数问题.docx
    • 2013-04-11 20:28:03, 16.73 K

» 猜你喜欢

» 抢金币啦！回帖就可以得到:

查看全部散金贴
1楼 2013-04-11 20:28:10
已阅   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

1414675229

铜虫 (初入文坛)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
这个真心不知道，祝楼主早些得到答案
赞一下 回复此楼
2楼2013-04-12 12:07:15
已阅   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

gzl9901

铁杆木虫 (文坛精英)
祝福，祝福，祝福，抢沙发
回复此楼
3楼2013-04-12 18:38:05
已阅   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

mlanqiang

木虫之王 (文学泰斗)
blessing
回复此楼
4楼2013-04-12 20:13:55
已阅   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

nobady

金虫 (正式写手)
★ ★ ★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
evanbossccp: 金币+2, 有帮助 2013-04-13 08:33:21
well的VT implant浓度直接决定了device的Vt，也会影响mobility；Halo，LDD, S/D IMP当然都会对device I-V curve 有很大影响！
如果你是design house，可以从foundry拿到SPICE data，和foundry的工艺密切相关
赞一下 回复此楼
7楼2013-04-12 23:55:01
已阅   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

evanbossccp

木虫 (正式写手)
引用回帖:
7楼: Originally posted by nobady at 2013-04-12 23:55:01
well的VT implant浓度直接决定了device的Vt，也会影响mobility；Halo，LDD, S/D IMP当然都会对device I-V curve 有很大影响！
如果你是design house，可以从foundry拿到SPICE data，和foundry的工艺密切相关

可是 foundry只能给我们design rule，其他的参数不会透露的，我是想从哪里可以获得一些具体掺杂浓度、结深注入之类的数值
赞一下 回复此楼
8楼2013-04-13 08:37:29
已阅   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

ausir

木虫 (正式写手)
★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
evanbossccp: 金币+5, 多谢指教 2013-05-08 00:03:10
evanbossccp: 金币+3 2013-07-17 13:48:26
只有在Foundry 做PIE的人才能知道具体的工艺参数。但是现在的CMOS工艺，都是通过多次Ion Implantion完成的，单一工序的条件根本无法用来模拟器件的特性。
现在的Fab的SPICE Model，大部分都是通过实际器件进行参数提取的结果，在深亚微米范围内，半导体器件的模型都不准确。短沟道效应，多重栅效应等，都没有很准确的理论支持。对于深亚微米影响极为严重的沟道漏电流寄生特性，更无法进行准确仿真的。
工艺实践走在器件理论的前面了，需要大家在Fab投入，才能获得这是的器件模型。
赞一下 回复此楼
9楼2013-05-06 23:56:07
已阅   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

evanbossccp

木虫 (正式写手)
引用回帖:
9楼: Originally posted by ausir at 2013-05-06 23:56:07
只有在Foundry 做PIE的人才能知道具体的工艺参数。但是现在的CMOS工艺，都是通过多次Ion Implantion完成的，单一工序的条件根本无法用来模拟器件的特性。
现在的Fab的SPICE Model，大部分都是通过实际器件进行参数 ...

有道理的
回复此楼
10楼2013-05-08 00:03:38
已阅   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖
简单回复
亦岳98635楼
2013-04-12 20:35  
jwucn6楼
2013-04-12 21:15  
相关版块跳转 我要订阅楼主 evanbossccp 的主题更新
101/1返回列表
信息提示
关闭
请填处理意见
关闭