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[交流]
半导体器件仿真工艺参数 求教 交流
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大家好： 我们在做一些器件仿真时，发现层次的掺杂浓度和杂质的注入深度，对仿真结果影响很大，很难较准确地预计我们的器件性能，我们知道foundry对工艺参数是严格保密的，不方便透露，有做过工艺的或者有这方面经验的牛人们来交流，和大家分享下下这方面的经验，比如N+大概能打到多深，PWELL的掺杂水平在什么范围等等。。 不同工艺的技术和指标不一样，我的附件中列了三种不同的工艺下地一部分层次，牛人能解决鄙人的该问题，我另外种种有赏 希望大家踊跃讨论。。。。。。 |
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本内容由用户自主发布，如果其内容涉及到知识产权问题，其责任在于用户本人，如对版权有异议，请联系邮箱：xiaomuchong@tal.com - 附件 1 : 工艺参数问题.docx
2013-04-11 20:28:03, 16.73 K
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