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evanbossccp

木虫 (正式写手)


[交流] 半导体器件仿真工艺参数 求教 交流

大家好:

我们在做一些器件仿真时,发现层次的掺杂浓度和杂质的注入深度,对仿真结果影响很大,很难较准确地预计我们的器件性能,我们知道foundry对工艺参数是严格保密的,不方便透露,有做过工艺的或者有这方面经验的牛人们来交流,和大家分享下下这方面的经验,比如N+大概能打到多深,PWELL的掺杂水平在什么范围等等。。

不同工艺的技术和指标不一样,我的附件中列了三种不同的工艺下地一部分层次,牛人能解决鄙人的该问题,我另外种种有赏

希望大家踊跃讨论。。。。。。
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  • 附件 1 : 工艺参数问题.docx
  • 2013-04-11 20:28:03, 16.73 K

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evanbossccp

木虫 (正式写手)


引用回帖:
7楼: Originally posted by nobady at 2013-04-12 23:55:01
well的VT implant浓度直接决定了device的Vt,也会影响mobility;Halo,LDD, S/D IMP当然都会对device I-V curve 有很大影响!
如果你是design house,可以从foundry拿到SPICE data,和foundry的工艺密切相关

可是 foundry只能给我们design rule,其他的参数不会透露的,我是想从哪里可以获得一些具体掺杂浓度、结深注入之类的数值
8楼2013-04-13 08:37:29
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1414675229

铜虫 (初入文坛)



小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
这个真心不知道,祝楼主早些得到答案
2楼2013-04-12 12:07:15
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gzl9901

铁杆木虫 (文坛精英)


祝福,祝福,祝福,抢沙发
3楼2013-04-12 18:38:05
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nobady

金虫 (正式写手)


★ ★ ★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
evanbossccp: 金币+2, 有帮助 2013-04-13 08:33:21
well的VT implant浓度直接决定了device的Vt,也会影响mobility;Halo,LDD, S/D IMP当然都会对device I-V curve 有很大影响!
如果你是design house,可以从foundry拿到SPICE data,和foundry的工艺密切相关
7楼2013-04-12 23:55:01
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