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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 专业学科区 » 信息科学 » 电子科学 » 半导体器件仿真工艺参数 求教 交流
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evanbossccp

木虫 (正式写手)

[交流] 半导体器件仿真工艺参数 求教 交流

大家好：

我们在做一些器件仿真时，发现层次的掺杂浓度和杂质的注入深度，对仿真结果影响很大，很难较准确地预计我们的器件性能，我们知道foundry对工艺参数是严格保密的，不方便透露，有做过工艺的或者有这方面经验的牛人们来交流，和大家分享下下这方面的经验，比如N+大概能打到多深，PWELL的掺杂水平在什么范围等等。。

不同工艺的技术和指标不一样，我的附件中列了三种不同的工艺下地一部分层次，牛人能解决鄙人的该问题，我另外种种有赏

希望大家踊跃讨论。。。。。。
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  • 附件 1 : 工艺参数问题.docx
    • 2013-04-11 20:28:03, 16.73 K

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1楼 2013-04-11 20:28:10
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1414675229

铜虫 (初入文坛)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
这个真心不知道，祝楼主早些得到答案
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2楼2013-04-12 12:07:15
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gzl9901

铁杆木虫 (文坛精英)
祝福，祝福，祝福，抢沙发
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3楼2013-04-12 18:38:05
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mlanqiang

木虫之王 (文学泰斗)
blessing
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4楼2013-04-12 20:13:55
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nobady

金虫 (正式写手)
★ ★ ★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
evanbossccp: 金币+2, 有帮助 2013-04-13 08:33:21
well的VT implant浓度直接决定了device的Vt，也会影响mobility；Halo，LDD, S/D IMP当然都会对device I-V curve 有很大影响！
如果你是design house，可以从foundry拿到SPICE data，和foundry的工艺密切相关
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7楼2013-04-12 23:55:01
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evanbossccp

木虫 (正式写手)
引用回帖:
7楼: Originally posted by nobady at 2013-04-12 23:55:01
well的VT implant浓度直接决定了device的Vt，也会影响mobility；Halo，LDD, S/D IMP当然都会对device I-V curve 有很大影响！
如果你是design house，可以从foundry拿到SPICE data，和foundry的工艺密切相关

可是 foundry只能给我们design rule，其他的参数不会透露的，我是想从哪里可以获得一些具体掺杂浓度、结深注入之类的数值
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8楼2013-04-13 08:37:29
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ausir

木虫 (正式写手)
★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
evanbossccp: 金币+5, 多谢指教 2013-05-08 00:03:10
evanbossccp: 金币+3 2013-07-17 13:48:26
只有在Foundry 做PIE的人才能知道具体的工艺参数。但是现在的CMOS工艺，都是通过多次Ion Implantion完成的，单一工序的条件根本无法用来模拟器件的特性。
现在的Fab的SPICE Model，大部分都是通过实际器件进行参数提取的结果，在深亚微米范围内，半导体器件的模型都不准确。短沟道效应，多重栅效应等，都没有很准确的理论支持。对于深亚微米影响极为严重的沟道漏电流寄生特性，更无法进行准确仿真的。
工艺实践走在器件理论的前面了，需要大家在Fab投入，才能获得这是的器件模型。
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9楼2013-05-06 23:56:07
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evanbossccp

木虫 (正式写手)
引用回帖:
9楼: Originally posted by ausir at 2013-05-06 23:56:07
只有在Foundry 做PIE的人才能知道具体的工艺参数。但是现在的CMOS工艺，都是通过多次Ion Implantion完成的，单一工序的条件根本无法用来模拟器件的特性。
现在的Fab的SPICE Model，大部分都是通过实际器件进行参数 ...

有道理的
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10楼2013-05-08 00:03:38
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简单回复
亦岳98635楼
2013-04-12 20:35  
jwucn6楼
2013-04-12 21:15  
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