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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 专业学科区 » 信息科学 » 电子科学 » 半导体器件仿真工艺参数 求教 交流
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evanbossccp

木虫 (正式写手)

[交流] 半导体器件仿真工艺参数 求教 交流

大家好：

我们在做一些器件仿真时，发现层次的掺杂浓度和杂质的注入深度，对仿真结果影响很大，很难较准确地预计我们的器件性能，我们知道foundry对工艺参数是严格保密的，不方便透露，有做过工艺的或者有这方面经验的牛人们来交流，和大家分享下下这方面的经验，比如N+大概能打到多深，PWELL的掺杂水平在什么范围等等。。

不同工艺的技术和指标不一样，我的附件中列了三种不同的工艺下地一部分层次，牛人能解决鄙人的该问题，我另外种种有赏

希望大家踊跃讨论。。。。。。
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  • 附件 1 : 工艺参数问题.docx
    • 2013-04-11 20:28:03, 16.73 K

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1楼 2013-04-11 20:28:10
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mlanqiang

木虫之王 (文学泰斗)
blessing
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4楼2013-04-12 20:13:55
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