| 查看: 1569 | 回复: 9 | |||
[交流]
半导体器件仿真工艺参数 求教 交流
|
|||
|
大家好： 我们在做一些器件仿真时，发现层次的掺杂浓度和杂质的注入深度，对仿真结果影响很大，很难较准确地预计我们的器件性能，我们知道foundry对工艺参数是严格保密的，不方便透露，有做过工艺的或者有这方面经验的牛人们来交流，和大家分享下下这方面的经验，比如N+大概能打到多深，PWELL的掺杂水平在什么范围等等。。 不同工艺的技术和指标不一样，我的附件中列了三种不同的工艺下地一部分层次，牛人能解决鄙人的该问题，我另外种种有赏 希望大家踊跃讨论。。。。。。 |
回复此楼» 本帖附件资源列表
-
欢迎监督和反馈：小木虫仅提供交流平台，不对该内容负责。
本内容由用户自主发布，如果其内容涉及到知识产权问题，其责任在于用户本人，如对版权有异议，请联系邮箱：xiaomuchong@tal.com - 附件 1 : 工艺参数问题.docx
2013-04-11 20:28:03, 16.73 K
» 猜你喜欢
有多少人是今天查系统知道结果的？
已经有14人回复
-
我不理解！
已经有8人回复
-
2026国自然函评费到账
已经有25人回复
-
2026年8月25日国自然放榜前突然收到列入评审专家邮件，有关系吗？
已经有28人回复
-
能否退出参与的面上项目解除限项
已经有26人回复
-
出来了
已经有9人回复
-
只有每年这种时候来逛逛小木虫
已经有28人回复
-
哪位高人中了，把查询到的截图贴出来让我看看，让我长长见识
已经有5人回复
-
为什么国自然不能直接公布
已经有4人回复
-
系统查不到
已经有9人回复
» 抢金币啦！回帖就可以得到:
-
再中一个面上，散金币5000
+5/4130
-
2026年工程管理与智慧城市国际会议 (EMSC 2026)
+1/416
-
面上中了，与大家共勉， 一点点小心得，可私信分享
+5/235
-
散点金币，祝大家好运
+1/176
-
第三次申请国自科面上的一点心得分享
+1/70
-
面上中了
+1/69
-
面上已中，感谢大家。
+1/61
-
材料微缺陷表征之正电子湮没寿命谱
+1/48
-
悉尼科技大学（QS 第87）数据科学/AI招收2027年秋季入学全奖及CSC博士生
+1/29
-
今年国基没中，有点难过，但生活还要继续
+1/21
-
刚查了没中，分享下心情
+2/18
-
北京理工大学数据流体团队诚聘博士后
+1/16
-
西南交通大学高速列车服役安全与冲击防护创新研究团队招收2027级硕士研究生
+1/14
-
【即将截止】东北大学理学院 力学 李健组招2027级保研
+1/4
-
中科院大连化学物理研究所 招聘 催化剂研发方向 科研助理 2名
+1/4
-
南京大学 智能驱动与感知材料实验室 诚招申请考核博士生/科研助理/博士后
+1/4
-
国青中了
+1/2
-
新审查指南施行半年，AI方向的专利申请是不是更看"技术味"了？
+1/2
-
南方医科大学深圳医院陈烨/余涛教授课题组联合培养博士后招聘
+1/2
-
量子物理团队招收博士生与博士后
+1/1
2楼2013-04-12 12:07:15
祝福，祝福，祝福，抢沙发
3楼2013-04-12 18:38:05
4楼2013-04-12 20:13:55
7楼2013-04-12 23:55:01
8楼2013-04-13 08:37:29
★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
evanbossccp: 金币+5, 多谢指教 2013-05-08 00:03:10
evanbossccp: 金币+3 2013-07-17 13:48:26
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
evanbossccp: 金币+5, 多谢指教 2013-05-08 00:03:10
evanbossccp: 金币+3 2013-07-17 13:48:26
|
只有在Foundry 做PIE的人才能知道具体的工艺参数。但是现在的CMOS工艺，都是通过多次Ion Implantion完成的，单一工序的条件根本无法用来模拟器件的特性。 现在的Fab的SPICE Model，大部分都是通过实际器件进行参数提取的结果，在深亚微米范围内，半导体器件的模型都不准确。短沟道效应，多重栅效应等，都没有很准确的理论支持。对于深亚微米影响极为严重的沟道漏电流寄生特性，更无法进行准确仿真的。 工艺实践走在器件理论的前面了，需要大家在Fab投入，才能获得这是的器件模型。 |
9楼2013-05-06 23:56:07
10楼2013-05-08 00:03:38
简单回复
亦岳98635楼
2013-04-12 20:35
jwucn6楼
2013-04-12 21:15
