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evanbossccp

木虫 (正式写手)

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[交流] 半导体器件仿真工艺参数求教交流

大家好：

我们在做一些器件仿真时，发现层次的掺杂浓度和杂质的注入深度，对仿真结果影响很大，很难较准确地预计我们的器件性能，我们知道foundry对工艺参数是严格保密的，不方便透露，有做过工艺的或者有这方面经验的牛人们来交流，和大家分享下下这方面的经验，比如N+大概能打到多深，PWELL的掺杂水平在什么范围等等。。

不同工艺的技术和指标不一样，我的附件中列了三种不同的工艺下地一部分层次，牛人能解决鄙人的该问题，我另外种种有赏

希望大家踊跃讨论。。。。。。

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附件 1 : 工艺参数问题.docx

2013-04-11 20:28:03, 16.73 K

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1楼 2013-04-11 20:28:10

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evanbossccp

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引用回帖:

9楼: Originally posted by ausir at 2013-05-06 23:56:07
只有在Foundry 做PIE的人才能知道具体的工艺参数。但是现在的CMOS工艺，都是通过多次Ion Implantion完成的，单一工序的条件根本无法用来模拟器件的特性。
现在的Fab的SPICE Model，大部分都是通过实际器件进行参数 ...

有道理的

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