[交流] 半导体器件仿真工艺参数求教交流

大家好：

我们在做一些器件仿真时，发现层次的掺杂浓度和杂质的注入深度，对仿真结果影响很大，很难较准确地预计我们的器件性能，我们知道foundry对工艺参数是严格保密的，不方便透露，有做过工艺的或者有这方面经验的牛人们来交流，和大家分享下下这方面的经验，比如N+大概能打到多深，PWELL的掺杂水平在什么范围等等。。

不同工艺的技术和指标不一样，我的附件中列了三种不同的工艺下地一部分层次，牛人能解决鄙人的该问题，我另外种种有赏

希望大家踊跃讨论。。。。。。

回复此楼

» 本帖附件资源列表

欢迎监督和反馈：小木虫仅提供交流平台，不对该内容负责。
本内容由用户自主发布，如果其内容涉及到知识产权问题，其责任在于用户本人，如对版权有异议，请联系邮箱：xiaomuchong@tal.com
附件 1 : 工艺参数问题.docx

2013-04-11 20:28:03, 16.73 K

» 猜你喜欢

AI 太可怕了，写基金时，提出想法，直接生成的文字比自己想得深远，还有科学性已经有11人回复
天津大学招2026.09的博士生，欢迎大家推荐交流（博导是本人）已经有11人回复
表哥与省会女结婚，父母去帮带孩子被省会女气回家生重病了已经有9人回复
同年申请2项不同项目，第1个项目里不写第2个项目的信息，可以吗已经有10人回复
依托企业入选了国家启明计划青年人才。有无高校可以引进的。已经有11人回复
依托企业入选了国家启明计划青年人才。有无高校可以引进的。已经有11人回复

» 抢金币啦！回帖就可以得到:

查看全部散金贴

1楼 2013-04-11 20:28:10

已阅关注TA 给TA发消息送TA红花 TA的回帖

ausir

木虫 (正式写手)

应助: 18 (小学生)
金币: 2008.2
帖子: 500
在线: 178.5小时
虫号: 1939287

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
evanbossccp: 金币+5, 多谢指教 2013-05-08 00:03:10
evanbossccp: 金币+3 2013-07-17 13:48:26

只有在Foundry 做PIE的人才能知道具体的工艺参数。但是现在的CMOS工艺，都是通过多次Ion Implantion完成的，单一工序的条件根本无法用来模拟器件的特性。
现在的Fab的SPICE Model，大部分都是通过实际器件进行参数提取的结果，在深亚微米范围内，半导体器件的模型都不准确。短沟道效应，多重栅效应等，都没有很准确的理论支持。对于深亚微米影响极为严重的沟道漏电流寄生特性，更无法进行准确仿真的。
工艺实践走在器件理论的前面了，需要大家在Fab投入，才能获得这是的器件模型。