应《网络安全法》要求，自2017年10月1日起，未进行实名认证将不得使用互联网跟帖服务。为保障您的帐号能够正常使用，请尽快对帐号进行手机号验证，感谢您的理解与支持！

24小时热门版块排行榜    

小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 功能材料 » 半导体 » MOS器件中，为什么生长HfO2用ALD,而不用MBE。
31/1返回列表
查看: 2873  |  回复: 66
查看全部回帖 @他人 存档 新回复提醒 (忽略) 收藏    在APP中查看
当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖

perfectmao

银虫 (小有名气)

[交流] MOS器件中，为什么生长HfO2用ALD,而不用MBE。

MOS器件中，为什么生长HfO2用ALD,而不用MBE。
回复此楼

» 收录本帖的淘帖专辑推荐

半导体技术

» 猜你喜欢

» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:

» 抢金币啦！回帖就可以得到:

查看全部散金贴
1楼 2012-07-14 20:49:14
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

perfectmao

银虫 (小有名气)
引用回帖:
11楼: Originally posted by tangshi141 at 2012-07-14 22:37:45
说说自己的看法 有问题还请大家指正 MBE均匀性是好 但是慢而且贵 又不是做材料开发 做半导体器件ALD的均匀性足够了

奥。谢谢
回复此楼
54楼2012-07-19 14:48:45
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖
相关版块跳转 我要订阅楼主 perfectmao 的主题更新
31/1返回列表
普通表情 龙 兔 虎 猫 高级回复 (可上传附件)
信息提示
关闭
请填处理意见
关闭