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perfectmao

银虫 (小有名气)


[交流] MOS器件中,为什么生长HfO2用ALD,而不用MBE。

MOS器件中,为什么生长HfO2用ALD,而不用MBE。
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tangshi141

木虫 (正式写手)


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perfectmao(金币+1): 谢谢参与
说说自己的看法 有问题还请大家指正 MBE均匀性是好 但是慢而且贵 又不是做材料开发 做半导体器件ALD的均匀性足够了
11楼2012-07-14 22:37:45
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wu1008

金虫 (著名写手)


★
perfectmao(金币+1): 谢谢参与
没有人说不能用mbe吧
只是各个组在制备薄膜上都有自己的方法,有mbe的组不在做HfO2而以,也许只是他们有他们自己要关注的课题
48楼2012-07-15 10:47:38
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wu1008

金虫 (著名写手)


引用回帖:
50楼: Originally posted by yuanliu1work at 2012-07-15 10:58:31
价钱方面呢...

你觉得做基础研究,会考虑成本的问题?
如果要考虑成本问题,恐怕全世界做薄膜的就只用cvd了
51楼2012-07-15 11:03:07
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wu1008

金虫 (著名写手)


★
perfectmao(金币+1): 谢谢参与
金币自动法?
49楼2012-07-15 10:48:52
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yuanliu1work

金虫 (著名写手)


★
perfectmao(金币+1): 谢谢参与
引用回帖:
11楼: Originally posted by tangshi141 at 2012-07-14 23:37:45
说说自己的看法 有问题还请大家指正 MBE均匀性是好 但是慢而且贵 又不是做材料开发 做半导体器件ALD的均匀性足够了

价钱方面呢
50楼2012-07-15 10:58:31
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2012-07-14 21:38   回复  
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bestlike5楼
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spc089楼
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basai200414楼
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song_ge17楼
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