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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 功能材料 » 半导体 » MOS器件中，为什么生长HfO2用ALD,而不用MBE。
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wu1008

金虫 (著名写手)
引用回帖:
50楼: Originally posted by yuanliu1work at 2012-07-15 10:58:31
价钱方面呢...

你觉得做基础研究，会考虑成本的问题？
如果要考虑成本问题，恐怕全世界做薄膜的就只用cvd了
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51楼2012-07-15 11:03:07
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strive123123

禁虫 (文坛精英)
★
perfectmao(金币+1): 谢谢参与
本帖内容被屏蔽
52楼2012-07-15 11:11:01
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tangshi141

木虫 (正式写手)
★
perfectmao(金币+1): 谢谢参与
引用回帖:
49楼: Originally posted by wu1008 at 2012-07-15 10:48:52
金币自动法？

肯定是MBE贵啊
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53楼2012-07-15 12:16:48
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perfectmao

银虫 (小有名气)
引用回帖:
11楼: Originally posted by tangshi141 at 2012-07-14 22:37:45
说说自己的看法 有问题还请大家指正 MBE均匀性是好 但是慢而且贵 又不是做材料开发 做半导体器件ALD的均匀性足够了

奥。谢谢
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54楼2012-07-19 14:48:45
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husthuangbin

金虫 (小有名气)
★
perfectmao(金币+1): 谢谢参与
因为ALD方法厚度均匀可控，而栅极材料需要的厚度只是纳米级；MBE成本太高，不适合工业应用。
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57楼2012-11-18 11:27:20
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bazhuayuyu

木虫 (著名写手)
★
perfectmao(金币+1): 谢谢参与
ALD大面积均匀性更好，更适合工业化，另外它是低温工艺
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58楼2012-11-19 00:35:26
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阿梨子

木虫 (正式写手)
★
perfectmao(金币+1): 谢谢参与
ALD多少钱一台
MBE多少钱一台
你查查就知道了
大家买ALD还是可能买的起的
MBE买不起，也养不起啊
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61楼2013-02-03 20:45:41
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dongjing_87

新虫 (初入文坛)
★
perfectmao(金币+1): 谢谢参与
都可以的吧  我还用磁控溅射做呢
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62楼2013-03-01 17:06:12
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匿名

用户注销 (正式写手)
★
perfectmao(金币+1): 谢谢参与
本帖仅楼主可见
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63楼2013-04-06 20:06:29
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gcworm

木虫 (职业作家)
路过，帮顶一下
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64楼2013-04-06 22:35:59
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gcworm

木虫 (职业作家)
路过，帮顶一下
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65楼2013-04-06 22:36:05
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简单回复
我是一笼包子55楼
2012-09-06 21:11   回复  
perfectmao(金币+1): 谢谢参与
我是一笼包子56楼
2012-09-06 21:11   回复  
perfectmao(金币+1): 谢谢参与
bazhuayuyu59楼
2012-11-19 00:35   回复  
ppan2260楼
2013-02-01 17:29   回复  
perfectmao(金币+1): 谢谢参与
wang8531666楼
2013-04-11 17:24   回复  
perfectmao(金币+1): 谢谢参与
毛毛虫的爱67楼
2018-09-28 16:16   回复  
perfectmao(金币+1): 谢谢参与
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