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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 功能材料 » 半导体 » MOS器件中，为什么生长HfO2用ALD,而不用MBE。
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perfectmao

银虫 (小有名气)

[交流] MOS器件中，为什么生长HfO2用ALD,而不用MBE。

MOS器件中，为什么生长HfO2用ALD,而不用MBE。
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1楼 2012-07-14 20:49:14
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husthuangbin

金虫 (小有名气)
★
perfectmao(金币+1): 谢谢参与
因为ALD方法厚度均匀可控，而栅极材料需要的厚度只是纳米级；MBE成本太高，不适合工业应用。
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57楼2012-11-18 11:27:20
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tangshi141

木虫 (正式写手)
★
perfectmao(金币+1): 谢谢参与
说说自己的看法 有问题还请大家指正 MBE均匀性是好 但是慢而且贵 又不是做材料开发 做半导体器件ALD的均匀性足够了
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11楼2012-07-14 22:37:45
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AnnF7楼
2012-07-14 22:18   回复  
perfectmao(金币+1): 谢谢参与
AnnF8楼
2012-07-14 22:19   回复  
perfectmao(金币+1): 谢谢参与
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