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vasp结构优化中EDIFF以及KPOINTS设置，以及氢吸附结合能问题！
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仁兄义姐好：我想问下： 1 在vasp计算中，INCAR中的EDIFF是精度越高会带来越多计算步骤从而花费更多的计算时间，还是说精度越高，却会使每个离子步优化的更精确，从而减少了离子优化的总步数，会是时间减少？这个究竟是怎么回事？ 还有K点设置时，是K点越大越耗费资源，计算时间长；还是K点越大而导致收敛的比较顺利而使计算时间变少？这个究竟哪个是主要的,到底对不同的计算结构该怎样分析使用K点。 2 在计算石墨烯以及硅纳米线表面氢吸附结合能的时候，应该怎样计算？ 比如说是直接（不优化）在结构上自动加氢，然后再算总能，使结合后的能量减去前两者，但整个过程前后所有结构全都没有优化。还是另外一种情况：就是先把没有加氢的原结构先优化并算出优化后的能量，然后把氢原子加到已优化好的结构上并计算出总能。最后用这个已优化的总能减去前面原结构（已优化）的能量以及氢原子的能量？请问这两种情况哪种对，若都不对，有其他方式吗？ 麻烦给出的答案越详细越好，小弟在此谢过！ |
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1.离子步的个数与EDIFF有关，因为电子步越精确，每个离子受力计算的越准确。但这个计算精确的提高并不如良好的POTIM值来的明显（其实POTIM有点运气成分）。通常粗优化时调低EDIFF，POTIM取0.75-1.25（个人经验），IBRION=2，KPOINTS取一个点都没有关系；然后再进行一遍精细的优化，IBRION=1，POTIM取0.3-0.5吧...第二次弛豫可以用到上面的WAVECAR和CHGCAR（HF方法用不到CHGCAR），总的时间花费会比上来就高精度要少很多。任何时候ALGO=FAST都是很好的选择。 2.第二种，大家都解释了。 |
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