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进行磁控溅射时,如果不用外部加热器,基体温度为多少
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进行磁控溅射时,如果不用外部加热器,基体温度为多少
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进行磁控溅射时,如果不用外部加热器,基体会受到离子撞击,应该会升温,想知道能够达到多少度?
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做学术是一件严谨的事
1楼
2012-04-12 16:00:31
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6楼
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Originally posted by
lijielin
at 2012-04-12 20:59:15:
呵呵,跟靶材,功率,溅射时间,惰性气体用量,都有关系。。。
熔点高的靶材,散热大
高功率高升温
一次溅射时间越长升温越高,刚开始较慢,越往后升温速度越快
通常来说,气体用量要适量,太少升温很快
升温只是对基底的影响吗?还是整个真空室?按说基底受到离子轰击多,大约500W能升温多少呢?有没有什么可以定量分析的模型或者经验公式?嘿嘿,最近刚考虑到这点,不明白的很多
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做学术是一件严谨的事
9楼
2012-04-12 21:06:44
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这个看你溅射多长时间了
我觉得:
使用DC的话,产生热量比较少,溅射5min的话,升温不会超过10oC
但是要是使用RF的话,产生热量比较多,同样时间,会升温10oC以上
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2楼
2012-04-12 16:44:48
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2012-04-12 20:03:55
葵花点穴手h: 金币+2
2012-04-12 20:58:42
这跟功率和溅射时间都有关系 如果功率比较大的话 升到100多还是很容易的
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3楼
2012-04-12 17:17:57
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3楼
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Originally posted by
wzcrazy
at 2012-04-12 17:17:57:
这跟功率和溅射时间都有关系 如果功率比较大的话 升到100多还是很容易的
那电弧离子镀呢,是不是也会升温
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4楼
2012-04-12 18:48:47
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