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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 专业学科区 » 物理 » 凝聚态物理 » 磁控溅射能起辉，但不能沉积
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qiuzc

银虫 (小有名气)

[求助] 磁控溅射能起辉，但不能沉积

我用射频磁控溅射，溅射Al靶，功率试过从80W增加到200W，时间为两小时。能起辉，但石英基片上没任何东西。之前反应溅射锌靶镀氧化锌，能镀出氧化锌，但怎么都不厚，而直接溅射锌（同一靶材），却没有沉积锌。

[ Last edited by qiuzc on 2012-3-23 at 09:11 ]
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1楼 2012-03-23 09:09:41
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ybhan

金虫 (正式写手)
引用回帖:
3楼: Originally posted by leongoall at 2012-03-24 17:36:46:
楼主为何利用射频源来溅射金属Al或者Zn呢？射频磁控溅射一般都是针对绝缘体的靶材或者导电性相对较差的靶材，利用同一周期内电子比正离子速度快进而沉积到靶材上的电子数目比正离子数目多从而建立起自偏压对离子进 ...

我感觉你说反了，金属比较容易溅射，以前我溅射Au，Ag，Cu等材料，速度不是一般的快啊。金属氧化物才难得溅射
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7楼2012-03-26 09:31:38
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foxs2

木虫 (文坛精英)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
铝和氧化锌我都经常镀，没有碰到你说的镀不上的情况。有可能是Ar离子能量太小未能把靶材溅射出来，把功率加大到500W试试。
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2楼2012-03-24 11:57:33
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leongoall

专家顾问 (知名作家)

P-M-I之初生牛犊

【答案】应助回帖

★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
qiuzc: 金币+3 2012-05-14 22:03:39
楼主为何利用射频源来溅射金属Al或者Zn呢？射频磁控溅射一般都是针对绝缘体的靶材或者导电性相对较差的靶材，利用同一周期内电子比正离子速度快进而沉积到靶材上的电子数目比正离子数目多从而建立起自偏压对离子进行加速实现靶的溅射。对于导电性很好的金属靶，很难建立较高的自偏压，正离子无法获得足够的能量去轰击靶材。对于楼主说的反应溅射的情况又可以，这是因为氧气与金属Zn现在表面发生氧化反应形成一层ZnO半导体，从而可以建立足以加速正离子的自偏压。

楼主可以用直流电源溅射金属靶，相信200W的直流功率是足够的！
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趁年轻，多折腾！曾年轻，折腾过？！
3楼2012-03-24 17:36:46
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wanyue1111

木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
你的工作气体是什么，实验室时注意一下工作气体那个减压阀上的示数是否是零，有时工作气体没通进去，也能起辉。还有，我不知道你的靶是多大的，200W的溅射功率是否太大？
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天空飘来五个字，这都不叫事！
4楼2012-03-25 14:00:23
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