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轻轻飘过之金虫 (正式写手)
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VASP计算缺陷形成能是否还要对帯隙进行修正？
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在用VASP计算形成能时是否还要对计算得出的能隙进行修正？ 比如附件中我画的CdTe的缺陷形成能图，理想CdTe的能隙为1.5eV，但我用LDA方法算出的能隙要小于1.5eV，那么在我分析缺陷引入的能级是浅能级还是深能级时，是否可以将帯隙看成是1.5eV，然后再进行分析？ 我认为是需要对能隙进行修正后再进行分析的，可是，看一些文献时，作者却没有提到要对能级进行修正。所以在此向大家请教！ |
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2011-12-15 15:06:51, 62.5 K
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这个是个问题，早期很多计算的文章，其实是默认了DFT带隙变小的缺点，很所没有做修正，后来有些paper会用和实验对比，平移VB和CB的方法，再后来就会有HSE等方法。 你可以看下Peter Broqvist的文章，他们讨论了这些问题： Defect levels through hybrid density functionals Insights and applications |
2楼2011-12-15 15:47:24
stractor
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3楼2011-12-15 20:25:35
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