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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » Vasp&MedeA » VASP计算缺陷形成能是否还要对帯隙进行修正？
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轻轻飘过之

金虫 (正式写手)

[求助] VASP计算缺陷形成能是否还要对帯隙进行修正？

在用VASP计算形成能时是否还要对计算得出的能隙进行修正？
     比如附件中我画的CdTe的缺陷形成能图，理想CdTe的能隙为1.5eV，但我用LDA方法算出的能隙要小于1.5eV，那么在我分析缺陷引入的能级是浅能级还是深能级时，是否可以将帯隙看成是1.5eV，然后再进行分析？
      我认为是需要对能隙进行修正后再进行分析的，可是，看一些文献时，作者却没有提到要对能级进行修正。所以在此向大家请教！
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  • 附件 1 : Cd-terminated.OPJ
    • 2011-12-15 15:06:51, 62.5 K

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1楼2011-12-15 15:07:04
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stractor

金虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

★
感谢参与，应助指数 +1
sunyang1988(金币+1): 谢谢指点 2011-12-15 20:30:16
sunyang1988: 2011-12-15 20:30:21
轻轻飘过之(金币+5): 谢谢您的答复！ 2011-12-15 21:17:28
严格来说，判断是浅能级或是深能级需要进行带隙修正。标准的GGA和LDA计算会使CBM或VBM位置不准，而缺陷能级在带隙的位置是确定它是深还是钱。
赞一下(2人) 回复此楼
3楼2011-12-15 20:25:35
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