| 查看: 3673 | 回复: 10 | ||||||
[求助]
求助VASP 处理带电缺陷的问题！能量变化太大
|
||||||
|
本人正在算一个半导体氧化物中引入N杂质，N替换O，计算其形成能。 首先计算了中性缺陷，体系的总能： ETOT= -648.481449 eV 然后计算N（-1）,体系的总能，将NELECT设为NELECT(原来的中性体系）+1 得到ETOT=-643.658924 eV 竟然相差4.82eV。 也就是说如果N得到一个电子，体系的能量竟然增加了4.82eV. 其他参数都是一样，没有变化。 根据实验，N是很好的受主，应该是容易得到电子。 百思不得其解。 望有高手指点一二！ 不胜感激！ 以下是输入文件INCAR： NWRITE = 2 # verbosity write-tag(how much is written) PREC = Normal ISTART = 0 # startjob 0=new 1=cont 2=samecut ISPIN = 2 # spin polarized calculation (2=yes,1=no) INIWAV = 1 # initial electr wf 0=lowe 1=rand ENCUT = 450.0 eV EDIFF = 1.0E-06 NSW = 0 # number of steps for ionic upd IBRION = -1 # ionic relaxation 0=MD 1=quasi-New 2=CG ISIF = 2 ISMEAR = 0 # partial occupancies -5=Blochl(energy) -4=tet -1=fermi 0=gaussian >0 MP(force) SIGMA = 0.05 LORBIT = 11 # 0 simple, 1 ext, 2 COOP (PROOUT) # NELECT = 702.0000 #plus U LDAU=.TRUE. LDAUTYPE=2 LDAUL= -1 -1 -1 2 LDAUU=0.00 0.00 0.00 5.2 LDAUPRINT=2 LMAXMIX=4 [ Last edited by utimasa on 2012-2-12 at 21:31 ] |
回复此楼» 收录本帖的淘帖专辑推荐
 第一原理资料汇编 | 带电掺杂体系形成能 | first principle | 杂七杂八 |
» 猜你喜欢
081700，311，求调剂
已经有15人回复
-
一志愿北京化工085600 310分求调剂
已经有18人回复
-
085600材料与化工301分求调剂院校
已经有4人回复
-
材料与化工371求调剂
已经有14人回复
-
336材料与化工085600求调剂
已经有7人回复
-
材料334求调剂
已经有18人回复
-
331求调剂
已经有8人回复
-
332求调剂
已经有17人回复
-
一志愿南京航空航天大学 材料与化工329分求调剂
已经有4人回复
-
材料专硕322
已经有7人回复
» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:
- 表面带电缺陷体系VASP计算参数设置和模型搭建
已经有8人回复
- 【求助】VASP收敛问题
已经有15人回复
- 【求助】vasp 算出的0k下的能量如何扩展到其他温度压力
已经有12人回复
- 【求助】vasp静态计算能量值错误
已经有21人回复
- 【求助】新手求助vasp计算氧分子结合能的问题
已经有12人回复
- 【求助】vasp中关于电场单位的问题
已经有12人回复
acridine
木虫 (正式写手)
- 1ST强帖: 11
- 应助: 13 (小学生)
- 金币: 4901.6
- 红花: 13
- 帖子: 706
- 在线: 389.5小时
- 虫号: 305478
- 注册: 2006-12-10
- 性别: GG
- 专业: 凝聚态物性 II ：电子结构
【答案】应助回帖
感谢参与，应助指数 +1
贺仪(金币+2, 专家考核): 多谢指教 2012-02-15 22:22:17
utimasa(金币+8): ★★★★★最佳答案 2012-02-16 20:03:46
贺仪(金币+2, 专家考核): 多谢指教 2012-02-15 22:22:17
utimasa(金币+8): ★★★★★最佳答案 2012-02-16 20:03:46
|
两个体系电子数目不等，直接比较总能量是没有意义的。 如果真的要比带电前后的能量差别，那也应该是比较：（"中性体系+一个额外电子"的总能量)与（"带一个电子体系"的总能量) 后一项自然是你计算得到的Etot 前一项还需要加上一个电子的能量，但这个能量的定义方式需要结合具体情况。比如你这里，如果认为这个电子是从半导体氧化物中转移来的，那么这个电子的能量就是半导体氧化物的费米能级的能量。不过实际计算的时候不能直接把bulk计算得到的Ef直接拿来用，因为还要考虑不同计算时候的band align。 关于缺陷形成能的计算和讨论可以看看这篇综述，里面介绍的比较详细 J. Appl. Phys. 95, 3851 (2004) |
6楼2012-02-15 17:46:46
uuv2010
荣誉版主 (职业作家)
- 1ST强帖: 6
- 应助: 160 (高中生)
- 贵宾: 3.14
- 金币: 3681.7
- 散金: 5802
- 红花: 79
- 沙发: 35
- 帖子: 4560
- 在线: 916小时
- 虫号: 966216
- 注册: 2010-03-09
- 性别: GG
- 专业: 凝聚态物性 II ：电子结构
- 管辖: 第一性原理
2楼2012-02-13 15:01:39
3楼2012-02-14 09:10:03
buct2010
金虫 (正式写手)
- 1ST强帖: 10
- 应助: 27 (小学生)
- 金币: 2328.6
- 散金: 306
- 红花: 11
- 帖子: 351
- 在线: 231.2小时
- 虫号: 1129027
- 注册: 2010-10-22
- 性别: GG
- 专业: 凝聚态物性 II ：电子结构
- 管辖: 第一性原理
4楼2012-02-14 14:36:15
WDD880227
木虫 (正式写手)
- 1ST强帖: 1
- 应助: 25 (小学生)
- 贵宾: 0.098
- 金币: 1348.5
- 散金: 194
- 红花: 16
- 帖子: 761
- 在线: 371.6小时
- 虫号: 1129580
- 注册: 2010-10-22
- 性别: MM
- 专业: 凝聚态物性 II ：电子结构
5楼2012-02-14 19:34:19
WDD880227
木虫 (正式写手)
- 1ST强帖: 1
- 应助: 25 (小学生)
- 贵宾: 0.098
- 金币: 1348.5
- 散金: 194
- 红花: 16
- 帖子: 761
- 在线: 371.6小时
- 虫号: 1129580
- 注册: 2010-10-22
- 性别: MM
- 专业: 凝聚态物性 II ：电子结构
7楼2012-02-16 08:46:07
8楼2012-02-16 19:47:03
9楼2012-02-19 19:24:28
10楼2012-06-26 11:43:57
