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求助VASP 处理带电缺陷的问题！能量变化太大
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本人正在算一个半导体氧化物中引入N杂质，N替换O，计算其形成能。 首先计算了中性缺陷，体系的总能： ETOT= -648.481449 eV 然后计算N（-1）,体系的总能，将NELECT设为NELECT(原来的中性体系）+1 得到ETOT=-643.658924 eV 竟然相差4.82eV。 也就是说如果N得到一个电子，体系的能量竟然增加了4.82eV. 其他参数都是一样，没有变化。 根据实验，N是很好的受主，应该是容易得到电子。 百思不得其解。 望有高手指点一二！ 不胜感激！ 以下是输入文件INCAR： NWRITE = 2 # verbosity write-tag(how much is written) PREC = Normal ISTART = 0 # startjob 0=new 1=cont 2=samecut ISPIN = 2 # spin polarized calculation (2=yes,1=no) INIWAV = 1 # initial electr wf 0=lowe 1=rand ENCUT = 450.0 eV EDIFF = 1.0E-06 NSW = 0 # number of steps for ionic upd IBRION = -1 # ionic relaxation 0=MD 1=quasi-New 2=CG ISIF = 2 ISMEAR = 0 # partial occupancies -5=Blochl(energy) -4=tet -1=fermi 0=gaussian >0 MP(force) SIGMA = 0.05 LORBIT = 11 # 0 simple, 1 ext, 2 COOP (PROOUT) # NELECT = 702.0000 #plus U LDAU=.TRUE. LDAUTYPE=2 LDAUL= -1 -1 -1 2 LDAUU=0.00 0.00 0.00 5.2 LDAUPRINT=2 LMAXMIX=4 [ Last edited by utimasa on 2012-2-12 at 21:31 ] |
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