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utimasa

新虫 (初入文坛)

应助: 0 (幼儿园)
金币: 3
帖子: 10
在线: 16.4小时
虫号: 1243869
注册: 2011-03-24
专业: 凝聚态物性 II ：电子结构

[求助] 求助VASP 处理带电缺陷的问题！能量变化太大

本人正在算一个半导体氧化物中引入N杂质，N替换O，计算其形成能。
首先计算了中性缺陷，体系的总能： ETOT= -648.481449 eV
然后计算N（-1）,体系的总能，将NELECT设为NELECT(原来的中性体系）+1
得到ETOT=-643.658924 eV

竟然相差4.82eV。
也就是说如果N得到一个电子，体系的能量竟然增加了4.82eV.
其他参数都是一样，没有变化。
根据实验，N是很好的受主，应该是容易得到电子。
百思不得其解。
望有高手指点一二！不胜感激！

以下是输入文件INCAR：

NWRITE = 2 # verbosity write-tag(how much is written)
PREC = Normal
ISTART = 0 # startjob 0=new 1=cont 2=samecut
ISPIN = 2 # spin polarized calculation (2=yes,1=no)
INIWAV = 1 # initial electr wf 0=lowe 1=rand
ENCUT = 450.0 eV
EDIFF = 1.0E-06
NSW = 0 # number of steps for ionic upd
IBRION = -1 # ionic relaxation 0=MD 1=quasi-New 2=CG
ISIF = 2
ISMEAR = 0 # partial occupancies -5=Blochl(energy) -4=tet -1=fermi 0=gaussian >0 MP(force)
SIGMA = 0.05
LORBIT = 11 # 0 simple, 1 ext, 2 COOP (PROOUT)
# NELECT = 702.0000
#plus U

LDAU=.TRUE.
LDAUTYPE=2
LDAUL= -1 -1 -1 2
LDAUU=0.00 0.00 0.00 5.2
LDAUPRINT=2
LMAXMIX=4

[ Last edited by utimasa on 2012-2-12 at 21:31 ]

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