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表面带电缺陷体系VASP计算参数设置和模型搭建
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分别搭建了四层3*3和6*6的MgOslab模型， 两个体系都分别计算了表面形成F0空位（挪去一个氧原子，体系不带电）和F1空位（挪去一个氧原子和一个电子，体系带一个正电）后的能量。发现3*3结构与6*6结构的F1空位的形成能差很多很多（相差几十个eV），并且之后F1上空位上吸附一个原子的吸附能量也差很多（相差7eV）。但两个体系F0空位的形成能和之后的原子吸附能都基本一致（相差0.1eV内），因此排除了空位浓度对能量的影响，觉得主要是体系带电导致的。。。另外查看电荷分布也发现带电体系的正电荷没有局域在某个原子上。 看说明书那讲Charged defect的部分实在头大，介电常数偶极矫正啥的一堆一堆，slab模型我也想不出个用哪个介电常数。。所以计算参数时就用看过一些帖子说的不用偶极矫正那些东西，直接设置电子数算的。 看过一篇PRB里面就是用VASP计算MgO表面的 F1 F2缺陷的，具体参数设置他也没提。希望大家对这种表面带点缺陷体系的计算方法或者模型搭建能提供点指导！ |
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