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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 化学化工区 » 电化学 » 电分析测试 » EIS图分析求助
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lizhu0216

新虫 (初入文坛)

[求助] EIS图分析求助 已有2人参与

本人做氮掺杂碳基超级电容器方向，电化学测试中cv测试和充放电都很正常，EIS图测试如图，低频区斜率很小，这种情况以前从没遇见过，文献中都是低频区斜率很高的那种，求大神帮忙分析解答！

EIS图分析求助
P60111-100553.jpg
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1楼 2016-01-11 10:21:14
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lizhu0216

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
5楼: Originally posted by 52王倩 at 2016-01-12 10:30:29
太详细的我也解释不来，嘿嘿，这个有很大的不确定性，有时候一个样品测两次，结果都不一样
...

我也是只知道个大概，想知道问题究竟出在哪了，看看有没有出现相同情况的虫友，帮忙分析一下找出原因，让EIS测试有重复性
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6楼2016-01-12 12:34:08
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实验室大蘑菇

铜虫 (小有名气)
最好用个进口的测一下eis对比一下数据
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蘑菇，吃吃吃。
2楼2016-01-11 17:26:23
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52王倩

木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
低频倾斜角大于45度，说明有电容性能，小于45度，说明受扩散控制

发自小木虫Android客户端
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3楼2016-01-12 00:09:51
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lizhu0216

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
3楼: Originally posted by 52王倩 at 2016-01-12 00:09:51
低频倾斜角大于45度，说明有电容性能，小于45度，说明受扩散控制

这个我也看到了的，能不能具体解释一下这个倾斜角的影响因素，因为我以前同一种样品测试的倾斜角是大于45的，现在不知道问题出在哪了
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4楼2016-01-12 10:17:37
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