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XPS:O1S 晶格氧活性优于表面吸附氧的文献求助
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随着焙烧温度升高（如图：自上而下），NH3-SCR活性降低，表面吸附氧变多。一般文献中的观点是表面吸附氧所占比例越大，越有利于氧化反应，加快NO氧化为NO2，从而提高fast NH3-SCR。 求助：是否有文献支持晶格氧比例大，越有利于NH3-SCR（能否解释为吸附氧多，利于氧化反应，反过来抑制还原反应，即不利于SCR反应） 备注：或者有其他观点能够解释？  XPS.png |
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