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XPS O1s出峰位置的问题
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XPS O1s出峰位置的问题
我的样品做O1s谱,拟合后在529.5和531.5eV出现2个峰(根据文献在~529 归属晶格氧,~530-531 归属吸附氧),但为什么吸附氧的峰远远大于晶格氧?
(样品是氧化物,结晶度不高,有无定形成分。是否和这个有关?)是否对于结晶差的样品分析吸附氧/晶格氧的意义不大?
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2012-07-11 10:16:51
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楼住能不能确定文献的结论啊?
XPS是在高真空条件下检测的,什么样品会有这么牢固的吸附氧啊?
晶格氧的结合能应该比吸附氧高!
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2012-07-11 14:11:15
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文献中峰的位置应当是没错的,但是你的样品结晶度是不是很小啊?如果继续计算的话 晶格氧的比例也太少了,这样的话我觉得意义不大了。个人意见,仅供参考。
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3楼
2012-07-12 12:07:05
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superdr
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lkjn
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文献中峰的位置应当是没错的,但是你的样品结晶度是不是很小啊?如果继续计算的话 晶格氧的比例也太少了,这样的话我觉得意义不大了。个人意见,仅供参考。
我觉得是这个问题。如果样品的结晶度不高,就不能用XPS的O1s区分吸附氧和晶格氧。但是对于不同的氧化物,O1s的位置应该是不同的,为什么把529-530eV的峰归为晶格氧?比如:MgO的O1s报道值也有在531-532eV,这样不就和所谓的吸附氧(~531eV)重了吗?
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2012-07-12 15:34:14
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我觉得是这个问题。如果样品的结晶度不高,就不能用XPS的O1s区分吸附氧和晶格氧。但是对于不同的氧化物,O1s的位置应该是不同的,为什么把529-530eV的峰归为晶格氧?比如:MgO的O1s报道值也有在531-532eV,这样不就 ...
不同的物质、晶型晶格氧出峰的位置肯定是不同的,应当找大致同一类物质的进行比较吧。我是做无机类的,吸附氧应当是在物质表面的,比例相对较小。除非你做的东西是超薄纳米片、层,甚至是单层原子的纳米才说的通。但是超薄的纳米片、层都是通过晶体得到的,这又是矛盾了。个人意见,水平有限。不喜勿喷,和谐交流
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5楼
2012-07-14 20:11:24
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