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无所谓109

银虫 (正式写手)

[求助] vasp计算带电粒子吸附计算的问题已有3人参与

最近想计算带电粒子在催化剂表面的吸附性质,但是看了手册,和坛子里的介绍,发现对于slab模型,对整个体系加入电荷(NELECT控制),好像计算是有问题的....
这个帖子有过说明http://muchong.com/bbs/viewthread.php?tid=8266545&fpage=1&target=blank
http://cms.mpi.univie.ac.at/vasp/vasp/FAQ.html最后五段
vasp官方FAQ中也有过解答。

问题:
1、针对slab模型,调节NELECT去结构优化,是不是完全没有意义
      对一个电中性条件下已优化好的结构(CONTCAR_1),其能量为E1,然后对CONTCAR_1加一个电子并结构优化得到带电下的稳定结构(CONTCAR_2),计算CONTCAR_2在电中性下的能量E2,比较E1和E2来说明材料带电对其结构的影响。这样做有没有意义。对于官方教程,我的理解是带电后,会产生一个静电场,使得能量不准。如果我不横向比较能量(比较带电前后),有没有意义  

2、如果给体系(slab)带上一个电子,然后去吸附电中性的小分子,在这种条件下,所有的能量全是建立在带一个电子的基础上,这样比较吸附的过程能量变化有没有意义。

3、最近也看到过 对体系(slab)加电子模拟,在催化剂表面上超氧负离子O2-还原过程,这么做有没有意义

4、仔细分析了一下啊,产生这些问题的原因都是调控NELECT不能精准地把电子加到某个原子上,有没有其他的软件固定原子的所带的电荷?如果有请告知一下。
      PS:曾经在坛子里看到有说改POTCAR中电子的数目,来调控带电,仔细分析,这样做确实可以调节外来带电粒子A-(slab结构总不含A元素)的电荷,并且把电荷局域到A上,但是POTCAR太深奥,不敢改,也就没有试过...有没有哪位试过,或者看到过类似的做法,希望告知。

非计算出身,自学的vasp,对于理论基础把握不到位,请大家指导。

vasp计算带电粒子吸附计算的问题
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stractor

金虫 (著名写手)

引用回帖:
6楼: Originally posted by kjsun at 2015-04-01 13:50:45
我最近也在研究带电粒子的计算问题。
我发现VASP加电荷不是在体系的最低空轨道加入一个电子,而是在整个空间加入一个背景电荷。(说明书上有相信加入公式)
VASP这么干目的肯定是为了解决一些问题,但是具体什么, ...

VASP自洽自后,就是把多于的电荷加到缺陷上。并不是在整个空间加一个背景电荷。那个背景电荷是为了让电荷自洽迭代时候不发散而添加的。
VASP处理带电的文献很多,尤其在半导体领域,这很成熟的方法了。
但VASP不能处理多个带电离子。
12楼2015-04-02 11:32:10
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stractor

金虫 (著名写手)

【答案】应助回帖


liliangfang: 金币+1, 谢谢交流 2015-04-03 07:48:21
你要一层slab带一个或者减少一个电荷,VASP做不到;
但如果处理缺陷的带电,如一个带电的空位、带电的间隙、带电的杂质、带电的吸附离子,VASP就能办到,就是通过调NELECT。

VASP让原子带电的原因就是通过调NELECT和自洽方式实现。
13楼2015-04-02 11:35:34
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