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haodalong218

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[交流] tio2 掺杂和氧空位问题的讨论

文献上说，非金属杂质的掺杂会限制tio2微晶粒子的生长，粒径的减小会伴随氧空位的变化，所以非金属掺杂会增加tio2表面的氧缺陷。这么说的道理是什么呢？他的意思是说掺杂杂质的引入会使表面的氧分离而产生氧空位吗？这会大致如何影响表面的性能呢？欢迎指正和讨论！

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1楼 2015-01-24 12:10:10

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