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romeokawayi

新虫 (正式写手)

[求助] 氧空位(Oxygen Vacancy)和氧缺陷(oxygen defects)的区别

大家好,我是第一次发帖,请多多帮助。我看文献时经常看到这两个词,很是纠结,氧空位是不是就是氧缺陷啊,哪位达人能给解释一下,在下不剩感激,解释的好一定双手将金币奉上。也不知道我有没有把英文注解搞颠倒,氧空位是不是就是Oxygen Vacancy,大家理解我的意思就好,如果我把两个英文名称搞颠倒了,请帮忙纠正过来,因为我用有道翻译就是这样的,请各位大侠一定帮帮忙哦,讲的越清楚越好,谢谢了~~
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peizx

铁杆木虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

romeokawayi(金币+5): 谢谢了哦,我大方吧,哈哈 2011-11-28 10:21:02
首先,你的英文翻译没错;
空位是缺陷的一种,缺陷包括点、线、面、体四种维度的缺陷;若你做的材料是氧化物半导体,那么这两个概念几乎是一样的,因为就单个原子而言,氧空位就是氧缺陷。若是其他类型,譬如CdS,那么氧有可能进入晶格间隙,成为间隙型氧缺陷,或者,氧取代了硫,成为杂质型氧缺陷;但是这样,也就不会再有氧空位,只能是氧缺陷。
7楼2011-11-26 21:01:22
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YuanxingFang

铁虫 (初入文坛)

氧空位包含在氧缺陷里面,但是氧缺陷在英文里还可以是多出一个氧来, 所以简单来说区别,defect就是crystal不太对,可以多可少,但是氧空位一定是少。
11楼2013-06-06 19:27:32
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boyshen

至尊木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

这个问题我也一直迷糊 氧空位往往会留下多余的电子
4楼2011-11-26 17:34:20
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普通回帖

kyle.wu.cn

木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

romeokawayi(金币+1): 似乎不太准确哦,或者再详细点说吧 2011-11-26 20:26:15
我不是搞半导体的哦,说错了请批评指正。我觉得空位是占据一定的晶体学位置的,而氧缺陷嘛,就是点缺陷,分布更随机一点。但有时两个概念应该可以互换吧!
2楼2011-11-26 15:58:32
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kyle.wu.cn

木虫 (著名写手)

顺路占个板凳吧
3楼2011-11-26 16:00:07
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romeokawayi

新虫 (正式写手)

还是没看明白,有没有明白的大侠再相信的解释下啊,因为催化剂的催化性能和氧缺陷(氧空位)的关系很大,高人指点下,感激不尽啊
5楼2011-11-26 20:24:17
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romeokawayi

新虫 (正式写手)

说明白的大侠剩下的金币全部送上,谢谢了哦
6楼2011-11-26 20:26:43
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gongcaike

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

romeokawayi(金币+2): 谢谢了哦 2011-11-27 22:14:15
romeokawayi(金币+12): 5 2011-11-28 10:21:11
引用回帖:
1楼: Originally posted by romeokawayi at 2011-11-26 15:10:38:
大家好,我是第一次发帖,请多多帮助。我看文献时经常看到这两个词,很是纠结,氧空位是不是就是氧缺陷啊,哪位达人能给解释一下,在下不剩感激,解释的好一定双手将金币奉上。也不知道我有没有把英文注解搞颠倒, ...

氧空位只是氧缺陷的一种,一般缺陷氛围点、线、面,在点缺陷分为空位、间隙原子、占位等,线缺陷主要是螺位错和刃位错,面缺陷为栾晶、层错等,自己对比下就应该能懂得
8楼2011-11-27 10:14:48
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liyan1132

铁虫 (小有名气)

引用回帖:
4楼: Originally posted by boyshen at 2011-11-26 17:34:20:
这个问题我也一直迷糊 氧空位往往会留下多余的电子

产生氧空位的时候是不是金属离子的价态也会有变化,而且低价态的金属离子会不会也会对催化性能有影响
生化体外诊断试剂研发,期待大家一起交流!
9楼2012-03-28 12:00:38
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平平_aleda

新虫 (初入文坛)

引用回帖:
9楼: Originally posted by liyan1132 at 2012-03-28 12:00:38
产生氧空位的时候是不是金属离子的价态也会有变化,而且低价态的金属离子会不会也会对催化性能有影响...

个人认为氧空位是氧缺陷的一种,在大部分情况下是一个概念
10楼2013-02-18 09:21:07
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