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romeokawayi

新虫 (正式写手)

[求助] 氧空位(Oxygen Vacancy)和氧缺陷(oxygen defects)的区别

大家好,我是第一次发帖,请多多帮助。我看文献时经常看到这两个词,很是纠结,氧空位是不是就是氧缺陷啊,哪位达人能给解释一下,在下不剩感激,解释的好一定双手将金币奉上。也不知道我有没有把英文注解搞颠倒,氧空位是不是就是Oxygen Vacancy,大家理解我的意思就好,如果我把两个英文名称搞颠倒了,请帮忙纠正过来,因为我用有道翻译就是这样的,请各位大侠一定帮帮忙哦,讲的越清楚越好,谢谢了~~
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peizx

铁杆木虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

romeokawayi(金币+5): 谢谢了哦,我大方吧,哈哈 2011-11-28 10:21:02
首先,你的英文翻译没错;
空位是缺陷的一种,缺陷包括点、线、面、体四种维度的缺陷;若你做的材料是氧化物半导体,那么这两个概念几乎是一样的,因为就单个原子而言,氧空位就是氧缺陷。若是其他类型,譬如CdS,那么氧有可能进入晶格间隙,成为间隙型氧缺陷,或者,氧取代了硫,成为杂质型氧缺陷;但是这样,也就不会再有氧空位,只能是氧缺陷。
7楼2011-11-26 21:01:22
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