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romeokawayi

新虫 (正式写手)

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[求助] 氧空位（Oxygen Vacancy）和氧缺陷（oxygen defects）的区别

大家好，我是第一次发帖，请多多帮助。我看文献时经常看到这两个词，很是纠结，氧空位是不是就是氧缺陷啊，哪位达人能给解释一下，在下不剩感激，解释的好一定双手将金币奉上。也不知道我有没有把英文注解搞颠倒，氧空位是不是就是Oxygen Vacancy，大家理解我的意思就好，如果我把两个英文名称搞颠倒了，请帮忙纠正过来，因为我用有道翻译就是这样的，请各位大侠一定帮帮忙哦，讲的越清楚越好，谢谢了~~

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1楼2011-11-26 15:10:38

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peizx

铁杆木虫 (小有名气)

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【答案】应助回帖

romeokawayi(金币+5): 谢谢了哦，我大方吧，哈哈 2011-11-28 10:21:02

首先，你的英文翻译没错；
空位是缺陷的一种，缺陷包括点、线、面、体四种维度的缺陷；若你做的材料是氧化物半导体，那么这两个概念几乎是一样的，因为就单个原子而言，氧空位就是氧缺陷。若是其他类型，譬如CdS，那么氧有可能进入晶格间隙，成为间隙型氧缺陷，或者，氧取代了硫，成为杂质型氧缺陷；但是这样，也就不会再有氧空位，只能是氧缺陷。