24小时热门版块排行榜    

Znn3bq.jpeg
查看: 3362  |  回复: 10

cenwanglai

荣誉版主 (知名作家)

老和山猥琐派九段

优秀版主

[求助] [求助完毕]单原子掺杂金属氧化物,不同位置氧空位形成能不一样,这是为什么呢?

某个金属氧化物AO, 用B取代表面上一个A原子。不同位置形成氧空位所需要的能量是不一样的。模型如下图所示,红色为氧原子,掺杂原子标注为dopant.图中标出了形成单氧空位的1~3三个不同位置。假设氧空位形成能依次为-0.6eV, 0.3eV, 0.8eV. 如何让解释这三个位置上氧空位形成能的差异呢?

解释氧空位形成能的差异的时候,我觉得可以从两个角度来说:
(1)氧空位处与掺杂点之间的相互作用不同导致氧空位形成能不同;
(2)分析PDOS,找出不同氧空位结构的TDOS和PDOS,仔细对比能量低的态来。然后说一通杂化之类的dongdong.

但是,氧空位形成能差别就那么一点点,电子占据态的差别也就在一个电子的量级上,这在动辄几百个电子的超胞背景中,被掩盖得体无完肤。

请问各位虫子是怎么处理的呢?欢迎提供文献或者建议!!!


金属氧化物表面取代掺杂模型。dopant为取代掺杂原子。标注1~3的红色原子表示三个氧空位形成位置。

[ Last edited by cenwanglai on 2011-12-8 at 09:23 ]
回复此楼

» 收录本帖的淘帖专辑推荐

第一原理资料汇编

» 猜你喜欢

» 本主题相关价值贴推荐,对您同样有帮助:

已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

guyu-shijie

金虫 (正式写手)

【答案】应助回帖


franch(金币-1): 你这不算应助吧,,下次这类回帖不要点应助回帖,直接回复即可 2011-11-28 21:33:13
好难啊。。。。不懂哎
胜利就是在你坚持不住的时候再坚持一下。。。。
2楼2011-11-28 17:08:31
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

spur

金虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★
fzx2008(金币+2): 谢谢指教 2011-11-29 08:04:41
如果所有Ti的位置是等价的,所有O的位置也是等价的,那按道理来说,你取代任何一个地方的Ti,然后在其附近产生O空位也是等价的。建议用ISIF=3进行多次结构优化直到收敛所需离子步少于3。
3楼2011-11-29 01:45:24
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

cenwanglai

荣誉版主 (知名作家)

老和山猥琐派九段

优秀版主

引用回帖:
3楼: Originally posted by spur at 2011-11-29 01:45:24:
如果所有Ti的位置是等价的,所有O的位置也是等价的,那按道理来说,你取代任何一个地方的Ti,然后在其附近产生O空位也是等价的。建议用ISIF=3进行多次结构优化直到收敛所需离子步少于3。

你说的对。

我的问题是:在掺杂位置最邻近,次临近以及次次临近等位置氧空位形成能的差异存在的原因。而不是slab上不同位置掺杂,掺杂位置附近的形成能。
4楼2011-11-29 09:02:04
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

涅磐BornFirn

银虫 (正式写手)

【答案】应助回帖


fzx2008(金币+1): 谢谢交流 2011-11-29 13:18:20
Zr 掺杂引起表面电荷布局分布变化,可以考虑下EDD 和 PA 结合分析键的变化!
5楼2011-11-29 11:50:43
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

spur

金虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★
fzx2008(金币+2): 谢谢指教 2011-11-30 07:45:40
cenwanglai(金币+5): 谢谢回复~ 2011-11-30 08:40:02
引用回帖:
4楼: Originally posted by cenwanglai at 2011-11-29 09:02:04:
你说的对。

我的问题是:在掺杂位置最邻近,次临近以及次次临近等位置氧空位形成能的差异存在的原因。而不是slab上不同位置掺杂,掺杂位置附近的形成能。

在掺杂位置最邻近,次临近以及次次临近等位置氧空位形成能当然有差别,这掺杂原子Zn与空位是有相互作用的。距离不一样,相互作用强度肯定是不一样的。而且掺杂原子Zn本身与O的相互作用也与Ti与O之间的相互作用不同。
6楼2011-11-30 01:02:12
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

windowtt

铜虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

cenwanglai(金币+3): 谢谢回复~ 2011-11-30 08:50:44
引用回帖:
6楼: Originally posted by spur at 2011-11-30 01:02:12:
在掺杂位置最邻近,次临近以及次次临近等位置氧空位形成能当然有差别,这掺杂原子Zn与空位是有相互作用的。距离不一样,相互作用强度肯定是不一样的。而且掺杂原子Zn本身与O的相互作用也与Ti与O之间的相互作用不 ...

同意。
距离不同,相互作用不同,所以形成能有差异,应当是肯定的。

Zr-O与Ti-O相互作用的不同,也会对这种差异有所贡献。

至于贡献的方向,就看二者的相对关系了。
7楼2011-11-30 08:35:13
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

cenwanglai

荣誉版主 (知名作家)

老和山猥琐派九段

优秀版主

引用回帖:
6楼: Originally posted by spur at 2011-11-30 01:02:12:
在掺杂位置最邻近,次临近以及次次临近等位置氧空位形成能当然有差别,这掺杂原子Zn与空位是有相互作用的。距离不一样,相互作用强度肯定是不一样的。而且掺杂原子Zn本身与O的相互作用也与Ti与O之间的相互作用不 ...

掺杂原子与氧空位之间的相互作用如何讨论呢?

如果通过PDOS来讨论,那需要牵扯好几个原子的比较,讨论起来如隔靴搔痒。

如果氧空位不在掺杂位置附近的话,如何区分局域性的作用(氧空位和空位边上的原子)和长程作用(氧空位和掺杂原子)呢?
8楼2011-11-30 08:44:21
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

cenwanglai

荣誉版主 (知名作家)

老和山猥琐派九段

优秀版主

引用回帖:
7楼: Originally posted by windowtt at 2011-11-30 08:35:13:
同意。
距离不同,相互作用不同,所以形成能有差异,应当是肯定的。

Zr-O与Ti-O相互作用的不同,也会对这种差异有所贡献。

至于贡献的方向,就看二者的相对关系了。

应该有一种比较好的方式,来描述掺杂原子与远处氧空位之间的相互作用。这种作用与掺杂原子与氧空位之间的距离有关,距离越近作用越强,距离越远,作用越弱。

这个模型是否可以考虑成“掺杂位置的多余正电荷,与氧空位处的多余负电荷之间的静电作用呢?如果有这方面的文献,希望提供~~

[ Last edited by cenwanglai on 2011-11-30 at 08:50 ]
9楼2011-11-30 08:48:50
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

spur

金虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

cenwanglai(金币+10): 谢谢分享~ 2011-11-30 10:47:17
cenwanglai(金币+2): 拜读了你的文章,没有找到不同位置氧空位形成能差异原因的解释,请指教~ 2011-12-07 08:12:39
引用回帖:
8楼: Originally posted by cenwanglai at 2011-11-30 08:44:21:
掺杂原子与氧空位之间的相互作用如何讨论呢?

如果通过PDOS来讨论,那需要牵扯好几个原子的比较,讨论起来如隔靴搔痒。

如果氧空位不在掺杂位置附近的话,如何区分局域性的作用(氧空位和空位边上 ...

那我就献一下丑。附件为我的一篇pccp的文章。呵呵。里面有讨论空位与掺杂原子之间的相互作用如何计算。

» 本帖附件资源列表

  • 欢迎监督和反馈:小木虫仅提供交流平台,不对该内容负责。
    本内容由用户自主发布,如果其内容涉及到知识产权问题,其责任在于用户本人,如对版权有异议,请联系邮箱:xiaomuchong@tal.com
  • 附件 1 : 2-PCCP.pdf
  • 2011-11-30 09:34:55, 1.35 M
10楼2011-11-30 09:34:59
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖
相关版块跳转 我要订阅楼主 cenwanglai 的主题更新
最具人气热帖推荐 [查看全部] 作者 回/看 最后发表
[考研] 311求调剂 +6 surte 2026-04-08 13/650 2026-04-09 14:00 by surte
[考研] 材料调剂 +14 一样YWY 2026-04-05 15/750 2026-04-09 13:36 by 故人??
[考研] 求机械专硕297第二批调剂 +4 拾柒12。 2026-04-08 4/200 2026-04-09 13:17 by upczlm1989
[考研] 262求调剂 +8 天下第一文 2026-04-04 9/450 2026-04-09 13:01 by ZXin747
[考研] 070300化学学硕311分求调剂 +18 梁富贵险中求 2026-04-04 20/1000 2026-04-09 11:18 by 哒哒哒呱呱呱
[考研] 267求调剂 +3 再忙也要吃饭啊 2026-04-09 3/150 2026-04-09 09:34 by 逆水乘风
[考研] 调剂 +4 osbbx 2026-04-02 4/200 2026-04-08 22:52 by may_新宇
[考研] 285求调剂 +20 哦呦呼o 2026-04-04 20/1000 2026-04-08 22:23 by yutian743
[考研] 生物与医药273求调剂 +17 荔题南墙 2026-04-05 18/900 2026-04-08 19:12 by 我减肥1
[考研] 274求调剂求调剂 +10 Jachenbingoo 2026-04-06 13/650 2026-04-08 14:25 by zhq0425
[考研] 336求调剂,一志愿中科大 +9 墨彧 yuyu 2026-04-06 9/450 2026-04-08 11:24 by 想读书的菌菌
[考研] 生物工程求调剂 +13 喜欢还是不甘心 2026-04-05 13/650 2026-04-07 16:55 by Ecowxq666!
[考研] 305分求调剂 +3 哈_哈_哈_哈_哈 2026-04-04 5/250 2026-04-07 14:49 by 哈_哈_哈_哈_哈
[考研] 一志愿太原理工大学计算机技术专硕348,求调剂指导 +3 nexious 2026-04-05 3/150 2026-04-07 08:19 by jp9609
[考研] 材料调剂 +14 壹贰贰亿 2026-04-04 14/700 2026-04-05 23:31 by 来看流星雨10
[考研] 308求调剂 +3 终不似从前 2026-04-05 3/150 2026-04-05 20:07 by 啵啵啵0119
[考研] 301求调剂 +3 XYPLR 2026-04-05 4/200 2026-04-05 19:07 by XYPLR
[考研] 298分 070300求调剂 +15 zwen03 2026-04-02 15/750 2026-04-05 12:52 by Hdyxbekcb
[考研] 材料调剂 +7 dxy调剂 2026-04-04 7/350 2026-04-05 09:15 by 陌秋26
[考研] 数一英一285求调剂 +7 AZMK 2026-04-03 9/450 2026-04-03 13:03 by ms629
信息提示
请填处理意见