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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 计算模拟 » 【求助】关于氧空位扩散理论
南方科技大学公共卫生及应急管理学院2026级博士研究生招生报考通知（长期有效）
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diamondfire

木虫 (正式写手)

[交流] 【求助】关于氧空位扩散理论已有7人参与

最近在从事氧空位的扩散研究。
由于刚刚转换方向，想向大家请教些一般性理论。

如果一种氧化物中氧空位的含量较高，那么在这种氧化物中：

氧扩散系数是否会升高？
结晶温度或者玻璃化转变温度是否会降低/抑或升高？

请不吝赐教。谢谢。
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1楼2010-06-27 17:57:26
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三木木

★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
mingdong(金币+1):感谢交流！ 2010-07-06 00:03:55
扩散系数   看传递速率
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6楼2010-07-02 12:58:18
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普通回帖

tfl03

木虫 (职业作家)
我也忘了。
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此处回帖者，声名水上流。
2楼2010-06-29 16:42:27
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cenwanglai

荣誉版主 (知名作家)

老和山猥琐派九段

优秀版主
★
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也关系这个问题.氧空位对化学反应有很大影响吗?
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3楼2010-07-02 08:55:40
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diamondfire

木虫 (正式写手)
引用回帖:
Originally posted by cenwanglai at 2010-07-02 08:55:40:
也关系这个问题.氧空位对化学反应有很大影响吗?

我最近正在研究这个。
很希望能找人探讨一下这个。

请问你是研究氧空位在什么体系中的反应呢？
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4楼2010-07-02 12:34:05
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惟真惟实

铁杆木虫 (著名写手)
引用回帖:
Originally posted by cenwanglai at 2010-07-02 08:55:40:
也关系这个问题.氧空位对化学反应有很大影响吗?

对催化氧化反应影响很大·~
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工作了~~
5楼2010-07-02 12:43:40
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diamondfire

木虫 (正式写手)
非常感谢前面朋友们的讨论，
是这样的，我首先通过实验定量证实了在一个材料体系内部存在氧化还原反应；
同时利用氧18和阳离子的同位素作了标记实验，发现随着氧化还原反应的进行，看到了扩散速率的升高。
同时利用UV-VIS的测到了一个带隙内部的杂质吸收峰。
通过定量观测，发现这个杂质吸收峰和扩散速率是同时增加的。
根据现有的结果，我个人觉得直接说明氧空位的增加将直接导致氧原子扩散系数的提高仍就不够充分，希望寻求理论上的支持和实验上的建议。

引用他人的理论计算，他们认为这个杂质能级的吸收可能来源于氧原子空位或者压缩的阳离子变价体系，但不能给出实验的直接观测。
通过主观控制氧化还原反应的过程，发现，随着界面处氧化还原反应的加剧，材料的结晶温度有所下降，从非晶向晶态的转变逐渐加剧。推测是由界面氧化 还原主导的。我怀疑是由于氧空位提供了原子移动的自由度，改善了界面应力状态，使得界面处原子能够跨越较小的势垒到达结晶状态的位置。但是由于我所学实在有限，不清楚这个是不是结晶学的常识还是有大量的实验根据？


请各位在这方面有经验的朋友不吝赐教，非常感谢。
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7楼2010-07-02 15:28:26
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piqihenhaode

金虫 (正式写手)
★
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resistive switching？
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千篇一律
8楼2010-12-24 00:38:41
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diamondfire

木虫 (正式写手)
引用回帖:
Originally posted by piqihenhaode at 2010-12-24 00:38:41:
resistive switching？

我不做那个，呵呵。
不过我们组里面也有些人研究NiO。
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9楼2010-12-26 18:25:01
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piqihenhaode

金虫 (正式写手)
★
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前段看APL上有篇文献提到和你差不多的这个问题，只是那个是做resistive switching memory的.
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千篇一律
10楼2010-12-27 02:10:43
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