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diamondfire

木虫 (正式写手)

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专业: 半导体电子器件

[交流] 【求助】关于氧空位扩散理论已有7人参与

最近在从事氧空位的扩散研究。
由于刚刚转换方向，想向大家请教些一般性理论。

如果一种氧化物中氧空位的含量较高，那么在这种氧化物中：

氧扩散系数是否会升高？
结晶温度或者玻璃化转变温度是否会降低/抑或升高？

请不吝赐教。谢谢。

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再烦，也别忘微笑；再急，也要注意语气；再苦，也别忘坚持；再累，也要爱自己。低调做人，你会一次比一次稳健；高调做事，你会一次比一次优秀。

1楼2010-06-27 17:57:26

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diamondfire

木虫 (正式写手)

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非常感谢前面朋友们的讨论，
是这样的，我首先通过实验定量证实了在一个材料体系内部存在氧化还原反应；
同时利用氧18和阳离子的同位素作了标记实验，发现随着氧化还原反应的进行，看到了扩散速率的升高。
同时利用UV-VIS的测到了一个带隙内部的杂质吸收峰。
通过定量观测，发现这个杂质吸收峰和扩散速率是同时增加的。
根据现有的结果，我个人觉得直接说明氧空位的增加将直接导致氧原子扩散系数的提高仍就不够充分，希望寻求理论上的支持和实验上的建议。

引用他人的理论计算，他们认为这个杂质能级的吸收可能来源于氧原子空位或者压缩的阳离子变价体系，但不能给出实验的直接观测。
通过主观控制氧化还原反应的过程，发现，随着界面处氧化还原反应的加剧，材料的结晶温度有所下降，从非晶向晶态的转变逐渐加剧。推测是由界面氧化还原主导的。我怀疑是由于氧空位提供了原子移动的自由度，改善了界面应力状态，使得界面处原子能够跨越较小的势垒到达结晶状态的位置。但是由于我所学实在有限，不清楚这个是不是结晶学的常识还是有大量的实验根据？

请各位在这方面有经验的朋友不吝赐教，非常感谢。