| 查看: 2655 | 回复: 18 | |||
diamondfire木虫 (正式写手)
|
[交流]
【求助】关于氧空位扩散理论 已有7人参与
|
||
|
最近在从事氧空位的扩散研究。 由于刚刚转换方向，想向大家请教些一般性理论。 如果一种氧化物中氧空位的含量较高，那么在这种氧化物中： 氧扩散系数是否会升高？ 结晶温度或者玻璃化转变温度是否会降低/抑或升高？ 请不吝赐教。谢谢。 |
回复此楼» 猜你喜欢
［调剂信息］211智能人工感知方向国家青年特聘专家课题组招收调剂研究生
已经有0人回复
-
[调剂信息]211智能人工感知方向国家青年特聘专家课题组招收调剂研究生
已经有0人回复
-
物理学I论文润色/翻译怎么收费?
已经有111人回复
-
0702一志愿吉大B区求调剂 本科期间发表一篇Sci
已经有2人回复
-
070200求调剂，一志愿某211，288分
已经有18人回复
-
法国博士后职位
已经有0人回复
-
重庆交大26年硕士生招生拟调剂通知已出！欢迎加入机器视觉与3D光学成像课题组。
已经有0人回复
-
广州大学光电信息工程专业调剂，招收物理学专业学生
已经有1人回复
-
0702一志愿吉大B区求调剂 本科期间发表一篇Sci
已经有0人回复
» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:
- [求助完毕]单原子掺杂金属氧化物，不同位置氧空位形成能不一样，这是为什么呢？
已经有10人回复
- 关于氧空位在TiO2光催化反应中的作用
已经有4人回复
- 这句话是什么意思啊，关于氧空位的，本人英语不好啊，没太看懂哇
已经有3人回复
- 【求助成功】氧空位电荷问题
已经有16人回复
- 【求助】表面氧空位设置及吸附氧气分子解离问题
已经有3人回复
- 【讨论】能垒(Ea)与温度(KT)的关系
已经有9人回复
- 【求助】关于In2O3的氧空位坐标的问题
已经有9人回复
- 【重点讨论】一个氧空位表面charge是不是要设为2（参与讨论就有机会赢取大礼包）
已经有27人回复
6楼2010-07-02 12:58:18
tfl03
木虫 (职业作家)
- 应助: 24 (小学生)
- 金币: 3128.5
- 散金: 1126
- 红花: 42
- 帖子: 4453
- 在线: 1812.2小时
- 虫号: 772313
- 注册: 2009-05-17
- 性别: GG
- 专业: 凝聚态物性 II ：电子结构
2楼2010-06-29 16:42:27
cenwanglai
荣誉版主 (知名作家)
老和山猥琐派九段
- 计算强帖: 4
- 应助: 46 (小学生)
- 贵宾: 8.842
- 金币: 7440.4
- 散金: 9654
- 红花: 118
- 沙发: 23
- 帖子: 5306
- 在线: 1961.4小时
- 虫号: 537452
- 注册: 2008-04-01
- 性别: GG
- 专业: 理论和计算化学
- 管辖: 仿真模拟
3楼2010-07-02 08:55:40
diamondfire
木虫 (正式写手)
- 应助: 12 (小学生)
- 贵宾: 0.005
- 金币: 2332.3
- 散金: 1502
- 红花: 6
- 帖子: 709
- 在线: 216.1小时
- 虫号: 335809
- 注册: 2007-03-31
- 性别: GG
- 专业: 半导体电子器件
4楼2010-07-02 12:34:05
惟真惟实
铁杆木虫 (著名写手)
- 应助: 11 (小学生)
- 金币: 6602.4
- 红花: 3
- 帖子: 1204
- 在线: 665.9小时
- 虫号: 445809
- 注册: 2007-10-28
- 性别: GG
- 专业: 碳素材料与超硬材料
5楼2010-07-02 12:43:40
diamondfire
木虫 (正式写手)
- 应助: 12 (小学生)
- 贵宾: 0.005
- 金币: 2332.3
- 散金: 1502
- 红花: 6
- 帖子: 709
- 在线: 216.1小时
- 虫号: 335809
- 注册: 2007-03-31
- 性别: GG
- 专业: 半导体电子器件
|
非常感谢前面朋友们的讨论， 是这样的，我首先通过实验定量证实了在一个材料体系内部存在氧化还原反应； 同时利用氧18和阳离子的同位素作了标记实验，发现随着氧化还原反应的进行，看到了扩散速率的升高。 同时利用UV-VIS的测到了一个带隙内部的杂质吸收峰。 通过定量观测，发现这个杂质吸收峰和扩散速率是同时增加的。 根据现有的结果，我个人觉得直接说明氧空位的增加将直接导致氧原子扩散系数的提高仍就不够充分，希望寻求理论上的支持和实验上的建议。 引用他人的理论计算，他们认为这个杂质能级的吸收可能来源于氧原子空位或者压缩的阳离子变价体系，但不能给出实验的直接观测。 通过主观控制氧化还原反应的过程，发现，随着界面处氧化还原反应的加剧，材料的结晶温度有所下降，从非晶向晶态的转变逐渐加剧。推测是由界面氧化 还原主导的。我怀疑是由于氧空位提供了原子移动的自由度，改善了界面应力状态，使得界面处原子能够跨越较小的势垒到达结晶状态的位置。但是由于我所学实在有限，不清楚这个是不是结晶学的常识还是有大量的实验根据？ 请各位在这方面有经验的朋友不吝赐教，非常感谢。 |
7楼2010-07-02 15:28:26
piqihenhaode
金虫 (正式写手)
- 应助: 12 (小学生)
- 金币: 1804.5
- 散金: 33
- 红花: 1
- 帖子: 738
- 在线: 113.1小时
- 虫号: 943315
- 注册: 2010-01-16
- 性别: GG
- 专业: 半导体晶体与薄膜材料
8楼2010-12-24 00:38:41
diamondfire
木虫 (正式写手)
- 应助: 12 (小学生)
- 贵宾: 0.005
- 金币: 2332.3
- 散金: 1502
- 红花: 6
- 帖子: 709
- 在线: 216.1小时
- 虫号: 335809
- 注册: 2007-03-31
- 性别: GG
- 专业: 半导体电子器件
9楼2010-12-26 18:25:01
piqihenhaode
金虫 (正式写手)
- 应助: 12 (小学生)
- 金币: 1804.5
- 散金: 33
- 红花: 1
- 帖子: 738
- 在线: 113.1小时
- 虫号: 943315
- 注册: 2010-01-16
- 性别: GG
- 专业: 半导体晶体与薄膜材料
10楼2010-12-27 02:10:43
10