| 查看: 438 | 回复: 0 | ||
[求助]
DL_POLY 缺陷数量计算
|
|
看说明书表明有两种方法计算缺陷数量： 方法1 添加REFERENCE文件 具体做法是把CONFIG文件的速度和力删除，只保留坐标项，CONTROL文件中写入“defects”参数，未加入具体数值。但计算是提示： DL_POLY_4 terminated due to error 553： error - REFERENCE is inconsistent !!! 方法2 不加入REFERENCE文件 不加入REFERENCE文件，在CONTROL文件中写入“defects i j f”参数，其中f表示site-interstitial cutoff, min[0.3,rcut/3] < f < min[1.2,rcut/2] ,但是把fz值设置成默认的0.75和1.0的时候产生缺陷的数量差别很大。 所以想请假下，你们如何计算缺陷数量的，是我的REFERENCE文件设置有问题，或者f数值输入的时候要根据所计算的体系来设置，谢谢！ |
回复此楼» 猜你喜欢
各位大神，目前国内有哪些比较好用的逆合成软件？
已经有15人回复
-
国社科系统bug了，是不是要放榜了？
已经有10人回复
-
现代”学阀”该如何界定
已经有9人回复
-
课题组招2027级博士 上海工程技术大学 激光智能制造方向
已经有4人回复
-
上海工程技术大学 激光智能制造课题组 2027级博士研究生招生
已经有3人回复
-
上海工程技术大学激光智能制造课题组｜2027级博士研究生招生公告
已经有11人回复
-
申博发邮件
已经有11人回复
-
我的奶奶
已经有3人回复
找到一些相关的精华帖子，希望有用哦~
感觉VASP计算缺陷存在很大问题
已经有17人回复
- VASP计算六方BN的缺陷时时进行偶极修正， 即dipole corrections的问题
已经有8人回复
- 请问gamess如何做分子或晶体缺陷的频率计算（振动分析）
已经有4人回复
- packmol如何构建初始结构供dl_poly使用？
已经有9人回复
- 求助：带电缺陷HSE06总能计算结果匪夷所思，请赐教！
已经有12人回复
- MS中用第一性原理和经验势分别计算缺陷的形成能
已经有7人回复
- 请教个关于分子模拟或者说理论计算的问题
已经有10人回复
- VASP计算缺陷形成能是否还要对帯隙进行修正？
已经有5人回复
- 缺陷形成能计算
已经有11人回复
- 缺陷D在q电子态下的形成能的计算
已经有8人回复
- DL-Poly计算的扩散系数
已经有6人回复
- 【求助】DL_POLY 4.0 下载
已经有7人回复
- 【求助】运行并行版的DL_POLY的时候，出现的问题
已经有8人回复
- 【讨论】最新的dlfield能够生成DL_POLY的field文件，大家用过吗？
已经有17人回复
- 【求助】请教一下关于Dl_poly，势能函数的单位问题
已经有4人回复
- 【求助】dl_poly segmentation fault
已经有6人回复
- 【求助】DL_POLY的config文件如何生成??
已经有98人回复
点击这里搜索更多相关资源科研从小木虫开始，人人为我，我为人人