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DFT+U计算求助
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问一下大家在做DFT+U计算的时候，对U值的判断标准是基于+U后优化的晶格常数，还是+U后计算的带隙值的。 例如ZnO的计算，我看基本所有文献都是以优化后的晶格常数为判断标准，决定U值后在去计算带隙，可是这个带隙比实验值小很多。 而我尝试过直接不加U直接优化晶格（PBE得到晶格常数还是很准确的），然后在加U调整带隙，得到一个合适的U值。可是将这个U值 带入后重新优化晶格，晶格会发生很大的畸变。 所以，我想了解两种思路：晶格优化和带隙计算均加U，以及先优化晶格再加U算能带，那一种方法正确？ |
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