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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 微纳加工 » 请教Si片腐蚀
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FLYFWY

木虫 (小有名气)

[求助] 请教Si片腐蚀 已有4人参与

Si片上镀了层Cu，想把Si片腐蚀掉，得到Cu膜，
那么问题来了：有没有啥溶液能较快腐蚀掉Si片（厚0.6mm左右），而不腐蚀Cu呢？
试了NaOH溶液，感觉反应有点慢。
小白一枚，请多指教~~O(∩_∩)O~
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1楼 2014-10-20 21:39:09
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reninhat

铁杆木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
这种情况其实应该用牺牲层工艺，现在硅上PECVD一层SiO2，再沉积Cu。
最后HF直接快速干掉SiO2，Cu膜就下来了。
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6楼2014-10-21 10:38:24
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peterflyer

木虫之王 (文学泰斗)

peterflyer

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
能溶解Si的一般只有两种物质：氢氟酸和烧碱。氢氟酸会在腐蚀硅的同时腐蚀铜的，不考虑；那就只有烧碱氢氧化钠了。楼主说腐蚀速度慢，那能否加热呢一些温度？能否超声辅助呢？
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4楼2014-10-21 10:10:08
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普通回帖

exciting73

金虫 (著名写手)
可以考虑下商品化的蚀刻液
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2楼2014-10-20 21:56:58
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FLYFWY

木虫 (小有名气)
引用回帖:
2楼: Originally posted by exciting73 at 2014-10-20 21:56:58
可以考虑下商品化的蚀刻液

请教一下，这种刻蚀衬底得到薄膜的方法能保证膜的粗糙度吗，我需要1nm级别的粗糙度
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3楼2014-10-20 22:26:49
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FLYFWY

木虫 (小有名气)
引用回帖:
4楼: Originally posted by peterflyer at 2014-10-21 10:10:08
能溶解Si的一般只有两种物质：氢氟酸和烧碱。氢氟酸会在腐蚀硅的同时腐蚀铜的，不考虑；那就只有烧碱氢氧化钠了。楼主说腐蚀速度慢，那能否加热呢一些温度？能否超声辅助呢？

正在试加热的效果，已经80°C保温了1h，感觉硅片没啥反应，表面还是初始的抛光面
尚未看到原硅酸出现。
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5楼2014-10-21 10:34:51
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exciting73

金虫 (著名写手)
引用回帖:
3楼: Originally posted by FLYFWY at 2014-10-20 22:26:49
请教一下，这种刻蚀衬底得到薄膜的方法能保证膜的粗糙度吗，我需要1nm级别的粗糙度...

薄膜本身的粗糙度主要由沉积时的条件决定。但关键是衬底蚀刻完了之后，把薄膜取出时用什么方法，这会影响到薄膜的粗糙度。
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7楼2014-10-21 10:51:15
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pizde

铁杆木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
使用50%的KOH溶液，在水浴90℃的条件下，大概两个半小时，600um的硅片就反应没了，反应很剧烈，会有大量的气泡产生，且硅片上下翻滚，不知道会不会对Cu膜有应该，
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8楼2014-10-22 09:32:55
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yswyx

专家顾问 (著名写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
FLYFWY: 金币+10, ★★★★★最佳答案 2014-10-22 21:00:26
FLYFWY: 金币+5, ★★★★★最佳答案 2014-10-28 16:51:04
无论是酸还是碱，时间长了铜都受不了。
看你的路子，应该是按照当年我写的某个工艺方案搞的
Cu是需要被保护的，有两个方法。
1. 用专用的夹具来保护，比如silicet的湿法腐蚀夹具，把硅片的Cu面保护起来，然后再进行湿法腐蚀。中国的代理商是苏州锐材。
2. 用耐一定温度的胶把Cu的表面沾上一片玻璃，或者是硅片也可以。这样Cu就被保护起来了，腐蚀硅的时候就不怕铜被腐蚀了。
以上两点都不能在硅被腐蚀穿以后保护Cu不受影响。因此，楼上某位说的牺牲层就显得重要了。当然，也可以不用这个工艺，可以用更好的方法来完成。
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9楼2014-10-22 19:29:22
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FLYFWY

木虫 (小有名气)
引用回帖:
8楼: Originally posted by pizde at 2014-10-22 09:32:55
使用50%的KOH溶液，在水浴90℃的条件下，大概两个半小时，600um的硅片就反应没了，反应很剧烈，会有大量的气泡产生，且硅片上下翻滚，不知道会不会对Cu膜有应该，

用NaOH 85°C泡了两天，硅片只是表面有点腐蚀痕迹，Cu表面也有腐蚀痕迹，估计用KOH腐蚀Cu更严重
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10楼2014-10-22 21:03:04
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