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haosir88

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[交流] 【请教】在Si（100）基片上沉积的薄膜测量XRD图解。已有8人参与

在Si（100）基片上沉积的薄膜测量XRD时，可观测到Si（400）衍射峰与Si（200）衍射峰，然而Si（200）是满足系统消光条件，为什么依然能观测到？请高手指点。

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1楼2010-09-11 22:36:15

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mokangxin

木虫 (正式写手)

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小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流

Si（200）并没有消光。几何结构因子F(G)=4f。你可以算一下看是不是。
Si是金刚石结构，对（200）面：
F(G)=f[1+e^iPI(h/2+k/2+l/2)]+e^iPI(h+k)+e^iPI(h+l)+e^iPI(k+l)+e^iPI(h/2+3k/2+3l/2)+e^iPI(3h+3k/2+l/2)+e^iPI(3h/2+k/2+3l/2)=f(1+e^iPI+e^2iPI+e^2iPI+1+e^iPI+e^3iPI+e^3iPI)=f(1+0+1+1+1+0+0)=4f
没有消光。不知道有没有算错，可以验算下。呵呵

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2楼2010-09-13 12:47:22

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haosir88

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引用回帖:

Originally posted by mokangxin at 2010-09-13 12:47:22:
Si（200）并没有消光。几何结构因子F(G)=4f。你可以算一下看是不是。
Si是金刚石结构，对（200）面：
F(G)=f[1+e^iPI(h/2+k/2+l/2)]+e^iPI(h+k)+e^iPI(h+l)+e^iPI(k+l)+e^iPI(h/2+3k/2+3l/2)+e^iPI(3h+3k/2+l/2 ...

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