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FLYFWY

木虫 (小有名气)

[求助] 请教Si片腐蚀 已有4人参与

Si片上镀了层Cu,想把Si片腐蚀掉,得到Cu膜,
那么问题来了:有没有啥溶液能较快腐蚀掉Si片(厚0.6mm左右),而不腐蚀Cu呢?
试了NaOH溶液,感觉反应有点慢。
小白一枚,请多指教~~O(∩_∩)O~
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reninhat

铁杆木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
这种情况其实应该用牺牲层工艺,现在硅上PECVD一层SiO2,再沉积Cu。
最后HF直接快速干掉SiO2,Cu膜就下来了。
6楼2014-10-21 10:38:24
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peterflyer

木虫之王 (文学泰斗)

peterflyer


【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
能溶解Si的一般只有两种物质:氢氟酸和烧碱。氢氟酸会在腐蚀硅的同时腐蚀铜的,不考虑;那就只有烧碱氢氧化钠了。楼主说腐蚀速度慢,那能否加热呢一些温度?能否超声辅助呢?
4楼2014-10-21 10:10:08
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普通回帖

exciting73

金虫 (著名写手)


可以考虑下商品化的蚀刻液
2楼2014-10-20 21:56:58
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FLYFWY

木虫 (小有名气)

引用回帖:
2楼: Originally posted by exciting73 at 2014-10-20 21:56:58
可以考虑下商品化的蚀刻液

请教一下,这种刻蚀衬底得到薄膜的方法能保证膜的粗糙度吗,我需要1nm级别的粗糙度
3楼2014-10-20 22:26:49
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FLYFWY

木虫 (小有名气)

引用回帖:
4楼: Originally posted by peterflyer at 2014-10-21 10:10:08
能溶解Si的一般只有两种物质:氢氟酸和烧碱。氢氟酸会在腐蚀硅的同时腐蚀铜的,不考虑;那就只有烧碱氢氧化钠了。楼主说腐蚀速度慢,那能否加热呢一些温度?能否超声辅助呢?

正在试加热的效果,已经80°C保温了1h,感觉硅片没啥反应,表面还是初始的抛光面
尚未看到原硅酸出现。
5楼2014-10-21 10:34:51
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exciting73

金虫 (著名写手)


引用回帖:
3楼: Originally posted by FLYFWY at 2014-10-20 22:26:49
请教一下,这种刻蚀衬底得到薄膜的方法能保证膜的粗糙度吗,我需要1nm级别的粗糙度...

薄膜本身的粗糙度主要由沉积时的条件决定。但关键是衬底蚀刻完了之后,把薄膜取出时用什么方法,这会影响到薄膜的粗糙度。
7楼2014-10-21 10:51:15
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pizde

铁杆木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
使用50%的KOH溶液,在水浴90℃的条件下,大概两个半小时,600um的硅片就反应没了,反应很剧烈,会有大量的气泡产生,且硅片上下翻滚,不知道会不会对Cu膜有应该,
8楼2014-10-22 09:32:55
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yswyx

专家顾问 (著名写手)


【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
FLYFWY: 金币+10, ★★★★★最佳答案 2014-10-22 21:00:26
FLYFWY: 金币+5, ★★★★★最佳答案 2014-10-28 16:51:04
无论是酸还是碱,时间长了铜都受不了。
看你的路子,应该是按照当年我写的某个工艺方案搞的
Cu是需要被保护的,有两个方法。
1. 用专用的夹具来保护,比如silicet的湿法腐蚀夹具,把硅片的Cu面保护起来,然后再进行湿法腐蚀。中国的代理商是苏州锐材。
2. 用耐一定温度的胶把Cu的表面沾上一片玻璃,或者是硅片也可以。这样Cu就被保护起来了,腐蚀硅的时候就不怕铜被腐蚀了。
以上两点都不能在硅被腐蚀穿以后保护Cu不受影响。因此,楼上某位说的牺牲层就显得重要了。当然,也可以不用这个工艺,可以用更好的方法来完成。
9楼2014-10-22 19:29:22
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FLYFWY

木虫 (小有名气)

引用回帖:
8楼: Originally posted by pizde at 2014-10-22 09:32:55
使用50%的KOH溶液,在水浴90℃的条件下,大概两个半小时,600um的硅片就反应没了,反应很剧烈,会有大量的气泡产生,且硅片上下翻滚,不知道会不会对Cu膜有应该,

用NaOH 85°C泡了两天,硅片只是表面有点腐蚀痕迹,Cu表面也有腐蚀痕迹,估计用KOH腐蚀Cu更严重
10楼2014-10-22 21:03:04
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