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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 专业学科区 » 物理 » 交叉学科 » 半导体掺杂对带隙的影响
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G调的窝头

金虫 (小有名气)

[求助] 半导体掺杂对带隙的影响 已有4人参与

掺杂是如何影响带隙大小的？例如:为什么GaN掺杂Al会增大带隙？ZnO掺杂Mg会减小带隙？

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
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1楼 2014-09-17 12:31:32
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jymm

铁杆木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
G调的窝头: 金币+10, ★★★很有帮助 2014-09-23 16:45:55
掺杂原子的轨道能量和N或Ga的相对大小，会影响能带的增加或减小。
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4楼2014-09-19 21:40:06
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sheng-hao

铜虫 (初入文坛)
掺杂使材料的导电性能发生改变，使载流子的浓度增大，会使带隙变窄
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机会要自己创造
2楼2014-09-18 10:38:13
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jiaokuisong

银虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
G调的窝头: 金币+10, ★★★很有帮助 2014-09-23 16:45:47
掺杂的粒子 可以使电子轨道发生变化！
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现在真心有点迷茫
3楼2014-09-19 10:12:20
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张晋荣

铜虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
G调的窝头: 金币+10, ★★★很有帮助 2014-09-23 16:46:04
因为晶体参杂后部分晶格大小改变，如TIO2参杂后会使吸收光谱产生红移和蓝移
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加油
5楼2014-09-22 18:55:32
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